公开(公告)号：US4885614A

公开(公告)日：1989-12-05

申请号：US216522

申请日：1988-07-08

申请人： Seijiro Furukawa ,  Hiroyuki Etoh ,  Akitoshi Ishizaka ,  Toshikazu Shimada

发明人： Seijiro Furukawa ,  Hiroyuki Etoh ,  Akitoshi Ishizaka ,  Toshikazu Shimada

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L29/165 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1812 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/165 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/7781 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/105 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention discloses a semiconductor device comprising a semiconductor layer being made of monocrystalline silicon or silicon-germanium alloy and a semiconductor layer being made of silicon-germanium-carbon alloy formed thereon, wherein the two layers form a heterojunction therebetween. In such a device, no lattice mismatch occurs between the layers or even if lattice mismatch occurs, it is only slight, so that the silicon-germanium-carbon alloy layer is in no danger of causing misfit dislocation therein.

摘要翻译： 本发明公开了一种半导体器件，其包括由单晶硅或硅 - 锗合金制成的半导体层和由其上形成的硅 - 锗 - 碳合金制成的半导体层，其中两层在其间形成异质结。 在这种器件中，层之间不发生晶格失配，或者即使发生晶格失配，仅仅是微小的，所以硅 - 锗 - 碳合金层不会引起其中的失配位错的危险。