公开(公告)号：US20110063904A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12879157

申请日：2010-09-10

申请人： Sang-Hoan CHANG ,  Seong-Moo HEO ,  Kwang-Suk YU ,  Yeong-Taek LEE ,  Woo-Yeong CHO

发明人： Sang-Hoan CHANG ,  Seong-Moo HEO ,  Kwang-Suk YU ,  Yeong-Taek LEE ,  Woo-Yeong CHO

IPC分类号： G11C11/21 ,  G11C7/06 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0057 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56

摘要： A method of programming a phase change memory device is disclosed. Write data is programmed in a plurality of phase change memory cells by applying write pulses to each of the plurality of phase change memory cells. Whether each of the phase change memory cells is programmed is verified by applying at least one verification pulse to each of the phase-change memory cells. A number of applications for the at least one verification pulse and the intervals between respective applications of the at least one verification pulse are varied in accordance with a verification result for each of the phase-change memory cells.

摘要翻译： 公开了一种编程相变存储器件的方法。 通过向多个相变存储单元中的每一个施加写脉冲，将写数据编程在多个相变存储单元中。 通过对每个相变存储单元施加至少一个验证脉冲来验证每个相变存储器单元是否被编程。 至少一个验证脉冲的应用程序和至少一个验证脉冲的相应应用之间的间隔的数量根据每个相变存储单元的验证结果而变化。

公开(公告)号：US20110055486A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12859459

申请日：2010-08-19

申请人： Seong-Moo HEO ,  Sang-Hoan CHANG

发明人： Seong-Moo HEO ,  Sang-Hoan CHANG

IPC分类号： G06F12/08 ,  G06F12/00 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G06F12/0868 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069

摘要： A method of processing data in a resistive memory device comprises performing a write operation to store data into a resistive memory of the resistive memory device and to store program information of the data into a cache memory. The method further comprises performing a first read operation to read the program information from the cache memory during a program-to-active time, and a second read operation to read the data from the resistive memory after the program-to-active time if the program information is not read from the cache memory during the program-to-active time.

摘要翻译： 一种在电阻式存储器件中处理数据的方法包括执行写入操作以将数据存储到电阻性存储器件的电阻存储器中，并将数据的程序信息存储到高速缓冲存储器中。 该方法还包括执行第一读取操作以在程序到活动时间期间从高速缓冲存储器读取程序信息，以及第二读取操作以在程序到活动时间之后从电阻性存储器读取数据，如果 在程序到活动的时间期间，程序信息不会从高速缓冲存储器读取。

公开(公告)号：US08279664B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12879157

申请日：2010-09-10

申请人： Sang-Hoan Chang ,  Seong-Moo Heo ,  Kwang-Suk Yu ,  Yeong-Taek Lee ,  Woo-Yeong Cho

发明人： Sang-Hoan Chang ,  Seong-Moo Heo ,  Kwang-Suk Yu ,  Yeong-Taek Lee ,  Woo-Yeong Cho

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0057 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56

摘要： In a method of programming a phase change memory device, write data is programmed in a plurality of phase change memory cells by applying write pulses to each of the plurality of phase change memory cells. Whether each of the phase change memory cells is programmed is verified by applying verification pulses to each of the phase-change memory cells. A number of applications for the verification pulses and the intervals between respective applications of the verification pulses are varied in accordance with a verification result for each of the phase-change memory cells.

摘要翻译： 在对相变存储器件进行编程的方法中，通过向多个相变存储器单元中的每一个施加写脉冲，将写数据编程在多个相变存储器单元中。 通过将验证脉冲应用于每个相变存储单元来验证每个相变存储单元是否被编程。 用于验证脉冲的多个应用以及验证脉冲的相应应用之间的间隔根据每个相变存储单元的验证结果而变化。