公开(公告)号：US08289791B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12662270

申请日：2010-04-08

申请人： SeongHwan Moon ,  Chul-Hoon Byun

发明人： SeongHwan Moon ,  Chul-Hoon Byun

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C29/50 ,  G11C5/144 ,  G11C29/021 ,  G11C29/12005 ,  G11C29/50016 ,  G11C2029/5002

摘要： Provided is a test method for a memory device including a plurality of storage regions and an SPO recovery unit. The test method stores data in the plurality of storage regions. The test method shuts off supply of power to the memory device and resupplies the power to the memory device. The test method determines an operational state of the SPO recovery unit after the resupplying step based on the stored data.

摘要翻译： 提供了一种包括多个存储区域和SPO恢复单元的存储器件的测试方法。 测试方法将数据存储在多个存储区域中。 该测试方法会关闭存储设备的电源供应，并重新将存储设备的电源重新供电。 测试方法基于所存储的数据确定在重新供应步骤之后的SPO恢复单元的操作状态。

公开(公告)号：US20100195418A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12697543

申请日：2010-02-01

申请人： SeongHwan MOON ,  Jun-Ho JANG

发明人： SeongHwan MOON ,  Jun-Ho JANG

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C29/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C16/06 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7208

摘要： Provided is a semiconductor memory device. The semiconductor memory device includes first and second memory chips and a control logic configured to execute an interleave program between the first and second memory chips. The control logic receives write data to be written into first and second memory blocks of the first memory chip. If the first and second memory blocks are normal blocks, the control logic simultaneously performs a program operation for the first and second memory blocks. If one memory block of the first and second memory blocks is a bad block, the control logic writes the received write data corresponding to the one memory block into a storage circuit.

摘要翻译： 提供了一种半导体存储器件。 半导体存储器件包括第一和第二存储器芯片以及被配置为在第一和第二存储器芯片之间执行交织程序的控制逻辑。 控制逻辑接收要写入第一存储器芯片的第一和第二存储器块的写入数据。 如果第一和第二存储器块是正常块，则控制逻辑同时对第一和第二存储器块执行编程操作。 如果第一和第二存储器块的一个存储块是坏块，则控制逻辑将接收到的与一个存储器块相对应的写入数据写入存储电路。

公开(公告)号：US08663738B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13024026

申请日：2011-02-09

申请人： Kisang Moon ,  Seonghwan Moon

发明人： Kisang Moon ,  Seonghwan Moon

IPC分类号： F04D13/06 ,  F04D29/00

CPC分类号： H02K3/44 ,  H02K15/12

摘要： Disclosed herein are an armature for fuel pumps and a manufacturing method thereof, in which a polymer coating film is formed on an armature core such that the armature has corrosion resistance to an alcohol fuel and to a highly corrosive fuel.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于燃料泵的衔铁及其制造方法，其中聚合物涂膜形成在电枢芯上，使得电枢具有对酒精燃料和高腐蚀性燃料的耐腐蚀性。

公开(公告)号：US08154925B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12697543

申请日：2010-02-01

申请人： SeongHwan Moon ,  Jun-Ho Jang

发明人： SeongHwan Moon ,  Jun-Ho Jang

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/06 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7208

摘要： A semiconductor memory device includes first and second memory chips and a control logic configured to execute an interleave program between the first and second memory chips. The control logic receives write data to be written into first and second memory blocks of the first memory chip. If the first and second memory blocks are normal blocks, the control logic simultaneously performs a program operation for the first and second memory blocks. If one memory block of the first and second memory blocks is a bad block, the control logic writes the received write data corresponding to the one memory block into a storage circuit.

摘要翻译： 半导体存储器件包括第一和第二存储器芯片以及被配置为在第一和第二存储器芯片之间执行交织程序的控制逻辑。 控制逻辑接收要写入第一存储器芯片的第一和第二存储器块的写入数据。 如果第一和第二存储器块是正常块，则控制逻辑同时对第一和第二存储器块执行编程操作。 如果第一和第二存储器块的一个存储块是坏块，则控制逻辑将接收到的与一个存储器块相对应的写入数据写入存储电路。

公开(公告)号：US20110032782A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12662270

申请日：2010-04-08

申请人： SeongHwan Moon ,  Chul-Hoon Byun

发明人： SeongHwan Moon ,  Chul-Hoon Byun

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C29/50 ,  G11C5/144 ,  G11C29/021 ,  G11C29/12005 ,  G11C29/50016 ,  G11C2029/5002

摘要： Provided is a test method for a memory device including a plurality of storage regions and an SPO recovery unit. The test method stores data in the plurality of storage regions. The test method shuts off supply of power to the memory device and resupplies the power to the memory device. The test method determines an operational state of the SPO recovery unit after the resupplying step based on the stored data.

摘要翻译： 提供了一种包括多个存储区域和SPO恢复单元的存储器件的测试方法。 测试方法将数据存储在多个存储区域中。 该测试方法会关闭存储设备的电源供应，并重新将存储设备的电源重新供电。 测试方法基于所存储的数据确定在重新供应步骤之后的SPO恢复单元的操作状态。