公开(公告)号：US20110128692A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12868659

申请日：2010-08-25

申请人： Stephen Jospeh Gaul ,  Michael David Church

发明人： Stephen Jospeh Gaul ,  Michael David Church

IPC分类号： G06F1/16 ,  H01L21/02 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： A method and structure for a semiconductor device which provides for an etch of a metal layer such as an interconnect layer which does not affect a thinner layer such as a thin film resistor (TFR) layer, such as a circuit resistor. In one embodiment, a TFR resistor layer is protected by a patterned protective layer during an etch of the metal layer, and provides an underlayer for the metal layer. In another embodiment, the TFR layer is formed after providing the patterned metal layer. The metal layer can provide, for example, end caps for the circuit resistor.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的方法和结构，其提供诸如电阻器等薄膜电阻（TFR）层等不影响较薄层的金属层（例如互连层）的蚀刻。 在一个实施例中，在金属层的蚀刻期间，TFR电阻层由图案化的保护层保护，并为金属层提供底层。 在另一个实施例中，在提供图案化的金属层之后形成TFR层。 金属层可以提供例如电路电阻器的端盖。

公开(公告)号：US08426745B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12868659

申请日：2010-08-25

申请人： Stephen Jospeh Gaul ,  Michael David Church

发明人： Stephen Jospeh Gaul ,  Michael David Church

IPC分类号： H05K1/16 ,  H05K7/00 ,  H05K3/02 ,  H01L23/48 ,  H01L21/00 ,  H01K3/10

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： A method and structure for a semiconductor device which provides for an etch of a metal layer such as an interconnect layer which does not affect a thinner layer such as a thin film resistor (TFR) layer, such as a circuit resistor. In one embodiment, a TFR resistor layer is protected by a patterned protective layer during an etch of the metal layer, and provides an underlayer for the metal layer. In another embodiment, the TFR layer is formed after providing the patterned metal layer. The metal layer can provide, for example, end caps for the circuit resistor.

摘要翻译： 一种用于半导体器件的方法和结构，其提供诸如电阻器等薄膜电阻（TFR）层等不影响较薄层的金属层（例如互连层）的蚀刻。 在一个实施例中，在金属层的蚀刻期间，TFR电阻层由图案化的保护层保护，并为金属层提供底层。 在另一个实施例中，在提供图案化的金属层之后形成TFR层。 金属层可以提供例如电路电阻器的端盖。