公开(公告)号：US08183556B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US11305452

申请日：2005-12-15

申请人： Suman Datt{dot over (a)} ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amlan ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datt{dot over (a)} ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amlan ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/15 ,  H01L29/157 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783

摘要： A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.

摘要翻译： CMOS器件包括具有第一量子阱结构的PMOS晶体管和具有第二量子阱结构的NMOS器件。 PMOS和NMOS晶体管形成在衬底上。