公开(公告)号：US07618834B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US11850291

申请日：2007-09-05

申请人： Sun-Kyung Bang

发明人： Sun-Kyung Bang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

摘要： Embodiments relate to a method of manufacturing an image sensor which includes forming a plurality of lower layers over a semiconductor substrate. A first passivation layer may be formed over the lower layers to protect the lower layers. The first passivation layer may be formed in a pixel region and a peripheral region with different thicknesses. A spin-on-glass (SOG) layer may be formed over the first passivation layer. A second passivation layer may be formed over the SOG layer. Array etching may be used to form a concave area in the semiconductor substrate. A plurality of micro lenses may be formed over the bottom surface of the concave area.

摘要翻译： 实施例涉及制造图像传感器的方法，其包括在半导体衬底上形成多个下层。 可以在下层上形成第一钝化层以保护下层。 第一钝化层可以形成在具有不同厚度的像素区域和周边区域中。 可以在第一钝化层之上形成旋涂玻璃（SOG）层。 可以在SOG层上形成第二钝化层。 阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。 多个微透镜可以形成在凹陷区域的底表面上。

公开(公告)号：US20080160666A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11948808

申请日：2007-11-30

申请人： Sun Kyung BANG

发明人： Sun Kyung BANG

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14689

摘要： A method for manufacturing the CMOS image sensor comprising forming an epitaxial layer provided with a plurality of photo diodes on a semiconductor substrate, coating a first photo resist on the epitaxial layer and performing a patterning process on the first photo resist using a predetermined reference value in order to form a first photo resist pattern, coating a second photo resist on the epitaxial layer and first photo resist pattern and performing a patterning process for the second photo resist in order to form the second photo resist pattern on the first photo resist pattern; and forming a well area of a pixel area by performing a dopant implantation process using a mask pattern including the first photo resist pattern and the second photo resist pattern.

摘要翻译： 一种制造CMOS图像传感器的方法，包括在半导体衬底上形成设置有多个光电二极管的外延层，在外延层上涂覆第一光致抗蚀剂，并使用预定的参考值在第一光致抗蚀剂上进行图案化处理 为了形成第一光致抗蚀剂图案，在外延层和第一光致抗蚀剂图案上涂覆第二光致抗蚀剂，并对第二光致抗蚀剂图案进行图案化处理，以便在第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂图案; 以及通过使用包括第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案的掩模图案执行掺杂剂注入处理来形成像素区域的阱区域。

公开(公告)号：US07944014B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US12578159

申请日：2009-10-13

申请人： Sun-Kyung Bang

发明人： Sun-Kyung Bang

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

摘要： Embodiments relate to a method of manufacturing an image sensor which includes forming a plurality of lower layers over a semiconductor substrate. A first passivation layer may be formed over the lower layers to protect the lower layers. The first passivation layer may be formed in a pixel region and a peripheral region with different thicknesses. A spin-on-glass (SOG) layer may be formed over the first passivation layer. A second passivation layer may be formed over the SOG layer. Array etching may be used to form a concave area in the semiconductor substrate. A plurality of micro lenses may be formed over the bottom surface of the concave area.

摘要翻译： 实施例涉及制造图像传感器的方法，其包括在半导体衬底上形成多个下层。 可以在下层上形成第一钝化层以保护下层。 第一钝化层可以形成在具有不同厚度的像素区域和周边区域中。 可以在第一钝化层之上形成旋涂玻璃（SOG）层。 可以在SOG层上形成第二钝化层。 阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。 多个微透镜可以形成在凹陷区域的底表面上。

公开(公告)号：US20100024979A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12578159

申请日：2009-10-13

申请人： Sun-Kyung Bang

发明人： Sun-Kyung Bang

IPC分类号： C23F1/08

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

摘要： Embodiments relate to a method of manufacturing an image sensor which includes forming a plurality of lower layers over a semiconductor substrate. A first passivation layer may be formed over the lower layers to protect the lower layers. The first passivation layer may be formed in a pixel region and a peripheral region with different thicknesses. A spin-on-glass (SOG) layer may be formed over the first passivation layer. A second passivation layer may be formed over the SOG layer. Array etching may be used to form a concave area in the semiconductor substrate. A plurality of micro lenses may be formed over the bottom surface of the concave area.

摘要翻译： 实施例涉及制造图像传感器的方法，其包括在半导体衬底上形成多个下层。 可以在下层上形成第一钝化层以保护下层。 第一钝化层可以形成在具有不同厚度的像素区域和周边区域中。 可以在第一钝化层之上形成旋涂玻璃（SOG）层。 可以在SOG层上形成第二钝化层。 阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。 多个微透镜可以形成在凹陷区域的底表面上。

公开(公告)号：US08022493B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12212134

申请日：2008-09-17

申请人： Sun Kyung Bang

发明人： Sun Kyung Bang

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469

摘要： Provided are embodiments of an image sensor. The image sensor can comprise a first substrate including a transistor circuit, a lower interconnection layer, an upper interconnection layer, and a second substrate including a vertical stacked photodiode. The lower interconnection layer is disposed on the first substrate and comprises a lower interconnection connected to the transistor circuit. The upper interconnection layer is disposed on the lower interconnection layer and comprises an upper interconnection connected with the lower interconnection. The vertical stacked photodiode can be disposed on the upper interconnection layer and connected with the upper interconnection through, for example, a single plug connecting a blue, green, and red photodiode of the vertical stack or a corresponding plug for each of the blue, green, and red photodiode of the vertical stack.

摘要翻译： 提供了图像传感器的实施例。 图像传感器可以包括包括晶体管电路，下互连层，上互连层和包括垂直堆叠光电二极管的第二衬底的第一衬底。 下互连层设置在第一衬底上，并且包括连接到晶体管电路的下互连层。 上互连层设置在下互连层上，并且包括与下互连连接的上互连。 垂直堆叠光电二极管可以设置在上部互连层上，并通过例如连接垂直堆叠的蓝色，绿色和红色光电二极管的单个插头或与蓝色，绿色 ，和垂直堆叠的红色光电二极管。

公开(公告)号：US20090085135A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12212134

申请日：2008-09-17

申请人： Sun Kyung Bang

发明人： Sun Kyung Bang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L31/102

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469

摘要： Provided are embodiments of an image sensor. The image sensor can comprise a first substrate including a transistor circuit, a lower interconnection layer, an upper interconnection layer, and a second substrate including a vertical stacked photodiode. The lower interconnection layer is disposed on the first substrate and comprises a lower interconnection connected to the transistor circuit. The upper interconnection layer is disposed on the lower interconnection layer and comprises an upper interconnection connected with the lower interconnection. The vertical stacked photodiode can be disposed on the upper interconnection layer and connected with the upper interconnection through, for example, a single plug connecting a blue, green, and red photodiode of the vertical stack or a corresponding plug for each of the blue, green, and red photodiode of the vertical stack.

摘要翻译： 提供了图像传感器的实施例。 图像传感器可以包括包括晶体管电路，下互连层，上互连层和包括垂直堆叠光电二极管的第二衬底的第一衬底。 下互连层设置在第一衬底上，并且包括连接到晶体管电路的下互连层。 上互连层设置在下互连层上，并且包括与下互连连接的上互连。 垂直堆叠光电二极管可以设置在上部互连层上，并通过例如连接垂直堆叠的蓝色，绿色和红色光电二极管的单个插头或与蓝色，绿色 ，和垂直堆叠的红色光电二极管。

公开(公告)号：US07659186B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11948808

申请日：2007-11-30

申请人： Sun Kyung Bang

发明人： Sun Kyung Bang

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L27/14689

摘要： A method for manufacturing the CMOS image sensor comprising forming an epitaxial layer provided with a plurality of photo diodes on a semiconductor substrate, coating a first photo resist on the epitaxial layer and performing a patterning process on the first photo resist using a predetermined reference value in order to form a first photo resist pattern, coating a second photo resist on the epitaxial layer and first photo resist pattern and performing a patterning process for the second photo resist in order to form the second photo resist pattern on the first photo resist pattern; and forming a well area of a pixel area by performing a dopant implantation process using a mask pattern including the first photo resist pattern and the second photo resist pattern.

摘要翻译： 一种制造CMOS图像传感器的方法，包括在半导体衬底上形成设置有多个光电二极管的外延层，在外延层上涂覆第一光致抗蚀剂，并使用预定的参考值在第一光致抗蚀剂上进行图案化处理 为了形成第一光致抗蚀剂图案，在外延层和第一光致抗蚀剂图案上涂覆第二光致抗蚀剂，并对第二光致抗蚀剂图案进行图案化处理，以便在第一光致抗蚀剂图案上形成第二光致抗蚀剂图案; 以及通过使用包括第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案的掩模图案执行掺杂剂注入处理来形成像素区域的阱区域。

公开(公告)号：US20080061391A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11850291

申请日：2007-09-05

申请人： Sun-Kyung Bang

发明人： Sun-Kyung Bang

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685

摘要： Embodiments relate to a method of manufacturing an image sensor which includes forming a plurality of lower layers over a semiconductor substrate. A first passivation layer may be formed over the lower layers to protect the lower layers. The first passivation layer may be formed in a pixel region and a peripheral region with different thicknesses. A spin-on-glass (SOG) layer may be formed over the first passivation layer. A second passivation layer may be formed over the SOG layer. Array etching may be used to form a concave area in the semiconductor substrate. A plurality of micro lenses may be formed over the bottom surface of the concave area.

摘要翻译： 实施例涉及制造图像传感器的方法，其包括在半导体衬底上形成多个下层。 可以在下层上形成第一钝化层以保护下层。 第一钝化层可以形成在具有不同厚度的像素区域和周边区域中。 可以在第一钝化层之上形成旋涂玻璃（SOG）层。 可以在SOG层上形成第二钝化层。 阵列蚀刻可用于在半导体衬底中形成凹区。 多个微透镜可以形成在凹陷区域的底表面上。