公开(公告)号：US09525128B2

公开(公告)日：2016-12-20

申请号：US14225401

申请日：2014-03-25

申请人： Sungyoon Chung ,  Jinhye Bae ,  Hyungjoon Kwon ,  Jongchul Park ,  Wonjun Lee

发明人： Sungyoon Chung ,  Jinhye Bae ,  Hyungjoon Kwon ,  Jongchul Park ,  Wonjun Lee

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device may include forming a material layer on a substrate, performing a selective oxidation process to form a capping oxide layer on a first surface of the material layer, wherein a second surface of the material layer is not oxidized, and etching the material layer through the second surface to form a material pattern. An etch rate of the capping oxide layer is less than an etch rate of the material layer. A semiconductor device may include a lower electrode on a substrate, a data storage part on a top surface of the lower electrode, an upper electrode on the data storage part, and a capping oxide layer arranged on at least a portion of a top surface of the upper electrode. The capping oxide layer may include an oxide formed by oxidation of an upper surface of the upper electrode.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层，进行选择性氧化工艺以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面不被氧化，以及 通过第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。 覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。 半导体器件可以包括在基板上的下电极，在下电极的顶表面上的数据存储部分，数据存储部分上的上电极，以及覆盖氧化物层，其设置在 上电极。 覆盖氧化物层可以包括通过氧化上部电极的上表面形成的氧化物。

公开(公告)号：US20140349413A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14225401

申请日：2014-03-25

申请人： Sungyoon CHUNG ,  JINHYE BAE ,  HYUNGJOON KWON ,  JONGCHUL PARK ,  WONJUN LEE

发明人： Sungyoon CHUNG ,  JINHYE BAE ,  HYUNGJOON KWON ,  JONGCHUL PARK ,  WONJUN LEE

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device may include forming a material layer on a substrate, performing a selective oxidation process to form a capping oxide layer on a first surface of the material layer, wherein a second surface of the material layer is not oxidized, and etching the material layer through the second surface to form a material pattern. An etch rate of the capping oxide layer is less than an etch rate of the material layer. A semiconductor device may include a lower electrode on a substrate, a data storage part on a top surface of the lower electrode, an upper electrode on the data storage part, and a capping oxide layer arranged on at least a portion of a top surface of the upper electrode. The capping oxide layer may include an oxide formed by oxidation of an upper surface of the upper electrode.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成材料层，进行选择性氧化工艺以在材料层的第一表面上形成覆盖氧化物层，其中材料层的第二表面不被氧化，以及 通过第二表面蚀刻材料层以形成材料图案。 覆盖氧化物层的蚀刻速率小于材料层的蚀刻速率。 半导体器件可以包括在基板上的下电极，在下电极的顶表面上的数据存储部分，数据存储部分上的上电极，以及覆盖氧化物层，其设置在 上电极。 覆盖氧化物层可以包括通过氧化上部电极的上表面形成的氧化物。