公开(公告)号：US20050158999A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US10762186

申请日：2004-01-20

申请人： Keng-Chu Lin ,  Hui-Lin Chang ,  I-I Chen ,  Yung-Chen Lu ,  Syug-Ming Jang

发明人： Keng-Chu Lin ,  Hui-Lin Chang ,  I-I Chen ,  Yung-Chen Lu ,  Syug-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/04 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7684

摘要： A method for plasma treating an exposed copper surface and dielectric insulating layer in a semiconductor device manufacturing process including providing a semiconductor wafer having a process surface including an exposed copper portion and an exposed dielectric insulating layer portion; plasma treating in a first plasma treatment process, the process surface with a first plasma including ammonia (NH3) and nitrogen (N2) plasma to form a copper nitride layer overlying the exposed copper portion; and, plasma treating in a second plasma treatment process the process surface with a second plasma including oxygen (O2).

摘要翻译： 一种在半导体器件制造工艺中等离子体处理暴露的铜表面和介电绝缘层的方法，包括提供具有包括暴露的铜部分和暴露的介电绝缘层部分的工艺表面的半导体晶片; 在第一等离子体处理过程中进行等离子体处理，所述工艺表面具有包含氨（NH 3）3和氮（N 2 O 3）等离子体的第一等离子体，以形成覆盖的氮化铜层 暴露的铜部分; 以及在第二等离子体处理过程中进行等离子体处理，所述工艺表面具有包含氧（O 2 O 2）的第二等离子体。