公开(公告)号：US06340601B1

公开(公告)日：2002-01-22

申请号：US09476237

申请日：1999-12-30

申请人： Thomas F. Curran, Jr. ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Michael S. Lube ,  Matthew D. Moon ,  Rock Nadeau ,  Clark D. Reynolds ,  Dean A. Schaffer ,  Joel M. Sharrow ,  Paul H. Smith, Jr. ,  David C. Thomas ,  Eric J. White ,  Kenneth H. Yao

发明人： Thomas F. Curran, Jr. ,  Timothy C. Krywanczyk ,  Michael S. Lube ,  Matthew D. Moon ,  Rock Nadeau ,  Clark D. Reynolds ,  Dean A. Schaffer ,  Joel M. Sharrow ,  Paul H. Smith, Jr. ,  David C. Thomas ,  Eric J. White ,  Kenneth H. Yao

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76892

摘要： A method of reworking copper metallurgy on semiconductor devices which includes selective removal of insulator, selective removal of copper, non-selective removal of copper and insulator followed by the redeposition of an insulating copper barrier layer and at least one metallurgical interconnect layer.

摘要翻译： 一种对半导体器件上的铜冶炼进行再加工的方法，包括绝缘体的选择性去除，铜的选择性去除，铜和绝缘体的非选择性去除，然后再沉积绝缘铜阻挡层和至少一个冶金互连层。