公开(公告)号：US07749361B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11445690

申请日：2006-06-02

申请人： Jie Chen ,  Peijun Ding ,  Suraj Rengarajan ,  Ling Chen ,  Tram Vo

发明人： Jie Chen ,  Peijun Ding ,  Suraj Rengarajan ,  Ling Chen ,  Tram Vo

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165

摘要： A method of sputtering a copper seed layer and the target used therewith. The copper included in the sputtering target includes a first dopant reactive with copper and a second dopant unreactive with copper. Examples of the first dopant include Ti, Mg, and Al. Examples of the second dopant include Pd, Sn, In, Ir, and Ag. The amount of the first dopant may be determined by testing stress migration and that of the second dopant by testing electromigration.

摘要翻译： 一种溅射铜籽晶层的方法及其使用的靶。 包括在溅射靶中的铜包括与铜反应的第一掺杂物和不与铜反应的第二掺杂物。 第一掺杂剂的实例包括Ti，Mg和Al。 第二掺杂剂的实例包括Pd，Sn，In，Ir和Ag。 可以通过测试电迁移来测试应力迁移和第二掺杂剂的量来确定第一掺杂剂的量。

公开(公告)号：US20070278089A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11445690

申请日：2006-06-02

申请人： Jie Chen ,  Peijun Ding ,  Suraj Rengarajan ,  Ling Chen ,  Tram Vo

发明人： Jie Chen ,  Peijun Ding ,  Suraj Rengarajan ,  Ling Chen ,  Tram Vo

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165

摘要： A method of sputtering a copper seed layer and the target used therewith. The copper included in the sputtering target includes a first dopant reactive with copper and a second dopant unreactive with copper. Examples of the first dopant include Ti, Mg, and Al. Examples of the second dopant include Pd, Sn, In, Ir, and Ag. The amount of the first dopant may be determined by testing stress migration and that of the second dopant by testing electromigration.

摘要翻译： 一种溅射铜籽晶层的方法及其使用的靶。 包括在溅射靶中的铜包括与铜反应的第一掺杂物和不与铜反应的第二掺杂物。 第一掺杂剂的实例包括Ti，Mg和Al。 第二掺杂剂的实例包括Pd，Sn，In，Ir和Ag。 可以通过测试电迁移来测试应力迁移和第二掺杂剂的量来确定第一掺杂剂的量。