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发明授权
GaAsP epitaxial wafer and a method for manufacturing it 失效
标题翻译： GaAsP外延晶片及其制造方法

公开(公告)号：US6048397A

公开(公告)日：2000-04-11

申请号：US998835

申请日：1997-12-29

申请人： Masahisa Endo , Masataka Watanabe , Tsuneyuki Kaise, deceased

发明人： Masahisa Endo , Masataka Watanabe , Tsuneyuki Kaise, deceased

IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/30 , C30B25/04

CPC分类号： H01L33/305

摘要： A GaAsP epitaxial wafer 10 which has a GaAs.sub.1-x P.sub.x (0.45

摘要翻译： 具有通过用氮掺杂恒定组成层而形成的GaAs1-xPx（0.45