公开(公告)号：US20130228866A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13410207

申请日：2012-03-01

申请人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huie Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

发明人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huie Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

IPC分类号： H01L27/088 ,  G06F17/50 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/6681

摘要： Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device includes an active FinFET disposed over a workpiece comprising a first semiconductive material, the active FinFET comprising a first fin. An electrically inactive FinFET structure is disposed over the workpiece proximate the active FinFET, the electrically inactive FinFET comprising a second fin. A second semiconductive material is disposed between the first fin and the second fin.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造和设计方法。 在一个实施例中，半导体器件包括设置在包括第一半导体材料的工件上的有源FinFET，所述有源FinFET包括第一鳍片。 非活性FinFET结构设置在靠近有源FinFET的工件上方，该非活性FinFET包括第二鳍片。 第二半导体材料设置在第一鳍片和第二鳍片之间。