公开(公告)号：US20060043463A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10932198

申请日：2004-09-01

申请人： Chi-Wen Liu ,  Kuo-Ching Chiang ,  Horng-Huei Tseng ,  Wen-Tin Chu

发明人： Chi-Wen Liu ,  Kuo-Ching Chiang ,  Horng-Huei Tseng ,  Wen-Tin Chu

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A semiconductor device includes a source and a drain formed in a substrate, a tunneling dielectric formed on the substrate between the source and the drain, and a floating gate disposed over the tunneling dielectric having a band-gap energy less than the energy band-gap of silicon.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底中的源极和漏极，形成在源极和漏极之间的衬底上的隧道电介质，以及设置在隧道电介质上的浮置栅极，其带隙能量小于能带隙能量 的硅。