公开(公告)号：US5358879A

公开(公告)日：1994-10-25

申请号：US54994

申请日：1993-04-30

申请人： Frederick T. Brady ,  Charles P. Breiten ,  Nadium F. Haddad ,  William G. Houston ,  Oliver S. Spencer ,  Steven J. Wright

发明人： Frederick T. Brady ,  Charles P. Breiten ,  Nadium F. Haddad ,  William G. Houston ,  Oliver S. Spencer ,  Steven J. Wright

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L29/6659 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7836 ,  Y10S148/114

摘要： A process to form poly sidegate LDD structures on buried channel MOSFETs is described. A polysilicon spacer is formed on the gate after source/drain processing. The spacer is later shorted to the main gate by implantation of neutral impurities. The process is particularly suited for SOI technology.

摘要翻译： 描述了在掩埋沟道MOSFET上形成多边栅极LDD结构的工艺。 在源/漏处理之后，在栅极上形成多晶硅间隔物。 间隔物随后通过植入中性杂质而短路到主栅极。 该工艺特别适用于SOI技术。