公开(公告)号：US20160126326A1

公开(公告)日：2016-05-05

申请号：US14715643

申请日：2015-05-19

申请人： Sungil Park ,  Munhyeon Kim ,  Woonggi Kim ,  Keunhwi Cho ,  Hwichan Jun ,  Dongwon Kim ,  Daewon Ha

发明人： Sungil Park ,  Munhyeon Kim ,  Woonggi Kim ,  Keunhwi Cho ,  Hwichan Jun ,  Dongwon Kim ,  Daewon Ha

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/41775 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Semiconductor devices may include a gate pattern and a contact pattern disposed on an active region. The contact pattern may include a recessed portion near the gate pattern, and a rising portion away from the gate pattern. The gate pattern may include a gate insulating layer and a gate electrode disposed on the gate insulating layer. An upper surface of the recessed portion may be lower than an upper surface of the rising portion.

摘要翻译： 半导体器件可以包括设置在有源区上的栅极图案和接触图案。 接触图案可以包括靠近栅极图案的凹陷部分和远离栅极图案的上升部分。 栅极图案可以包括栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极。 凹部的上表面可以比上升部的上表面低。

公开(公告)号：US09536968B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US14715643

申请日：2015-05-19

申请人： Sungil Park ,  Munhyeon Kim ,  Woonggi Kim ,  Keunhwi Cho ,  Hwichan Jun ,  Dongwon Kim ,  Daewon Ha

发明人： Sungil Park ,  Munhyeon Kim ,  Woonggi Kim ,  Keunhwi Cho ,  Hwichan Jun ,  Dongwon Kim ,  Daewon Ha

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/41775 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Semiconductor devices may include a gate pattern and a contact pattern disposed on an active region. The contact pattern may include a recessed portion near the gate pattern, and a rising portion away from the gate pattern. The gate pattern may include a gate insulating layer and a gate electrode disposed on the gate insulating layer. An upper surface of the recessed portion may be lower than an upper surface of the rising portion.

摘要翻译： 半导体器件可以包括设置在有源区上的栅极图案和接触图案。 接触图案可以包括靠近栅极图案的凹陷部分和远离栅极图案的上升部分。 栅极图案可以包括栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极。 凹部的上表面可以比上升部的上表面低。