公开(公告)号：US08778465B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13469750

申请日：2012-05-11

申请人： Ludovic Godet ,  Xiangfeng Lu ,  Deepak Ramappa

发明人： Ludovic Godet ,  Xiangfeng Lu ,  Deepak Ramappa

IPC分类号： H05H1/24 ,  H01J37/32 ,  H01L31/028 ,  C23C16/24 ,  C23C16/04 ,  C23C16/505 ,  H01L31/0216

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32082 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0284 ,  Y02E10/50

摘要： Methods of creating porous materials, such as silicon, are described. In some embodiments, plasma sheath modification is used to create ion beams of various incidence angles. These ion beams may, in some cases, form a focused ion beam. The wide range of incidence angles allows the material to be deposited amorphously. The porosity and pore size can be varied by changing various process parameters. In other embodiments, porous oxides can be created by adding oxygen to previously created layers of porous material.

摘要翻译： 描述了产生多孔材料如硅的方法。 在一些实施例中，使用等离子体护套修改来产生各种入射角的离子束。 在某些情况下，这些离子束可形成聚焦离子束。 大范围的入射角允许材料无定形地沉积。 通过改变各种工艺参数可以改变孔隙度和孔径。 在其它实施方案中，多孔氧化物可以通过向先前产生的多孔材料层加入氧来产生。

公开(公告)号：US20120202341A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13364415

申请日：2012-02-02

申请人： Xiangfeng LU ,  Ludovic GODET ,  Anthony RENAU

发明人： Xiangfeng LU ,  Ludovic GODET ,  Anthony RENAU

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L21/425 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L31/02963

摘要： ZnTe is implanted with a first species selected from Group III and a second species selected from Group VII. This may be preformed using sequential implants, implants of the first species and second species that are at least partially simultaneous, or a molecular species comprising an atom selected from Group III and an atom selected from Group VII. The implants may be performed at an elevated temperature in one instance between 70° C. and 800° C.

摘要翻译： ZnTe植入选自III族的第一种和选自第VII组的第二种。 这可以使用顺序植入物，第一物质的植入物和至少部分同时的第二物质，或包含选自III族的原子和选自VII族的原子的分子物质来进行。 植入物可以在70℃和800℃之间的一个高温下进行。