公开(公告)号：US07943986B2

公开(公告)日：2011-05-17

申请号：US11761547

申请日：2007-06-12

申请人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

发明人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78615

摘要： A method for fabricating a Finfet device with body contacts and a device fabricated using the method are provided. In one example, a silicon-on-insulator substrate is provided. A T-shaped active region is defined in the silicon layer of the silicon-on-insulator substrate. A source region and a drain region form two ends of a cross bar of the T-shaped active region and a body contact region forms a leg of the T-shaped active region. A gate oxide layer is grown on the active region. A polysilicon layer is deposited overlying the gate oxide layer and patterned to form a gate, where an end of the gate partially overlies the body contact region to complete formation of a Finfet device with body contact.

摘要翻译： 提供了一种用于制造具有主体触点的Finfet器件的方法和使用该方法制造的器件。 在一个示例中，提供绝缘体上硅衬底。 在绝缘体上硅衬底的硅层中限定T形有源区。 源极区域和漏极区域形成T形有源区域的横杆的两个端部，并且主体接触区域形成T形有源区域的腿部。 在有源区上生长栅氧化层。 沉积覆盖栅极氧化物层的多晶硅层并图案化以形成栅极，其中栅极的一端部分覆盖在主体接触区域上，以完成具有身体接触的Finfet器件的形成。

公开(公告)号：US20070228372A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11761547

申请日：2007-06-12

申请人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

发明人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78615

摘要： A method for fabricating a Finfet device with body contacts and a device fabricated using the method are provided. In one example, a silicon-on-insulator substrate is provided. A T-shaped active region is defined in the silicon layer of the silicon-on-insulator substrate. A source region and a drain region form two ends of a cross bar of the T-shaped active region and a body contact region forms a leg of the T-shaped active region. A gate oxide layer is grown on the active region. A polysilicon layer is deposited overlying the gate oxide layer and patterned to form a gate, where an end of the gate partially overlies the body contact region to complete formation of a Finfet device with body contact.

摘要翻译： 提供了一种用于制造具有主体触点的Finfet器件的方法和使用该方法制造的器件。 在一个示例中，提供绝缘体上硅衬底。 在绝缘体上硅衬底的硅层中限定T形有源区。 源极区域和漏极区域形成T形有源区域的横杆的两个端部，并且主体接触区域形成T形有源区域的腿部。 在有源区上生长栅氧化层。 沉积覆盖栅极氧化物层的多晶硅层并图案化以形成栅极，其中栅极的一端部分覆盖在主体接触区域上，以完成具有身体接触的Finfet器件的形成。

公开(公告)号：US07244640B2

公开(公告)日：2007-07-17

申请号：US10968229

申请日：2004-10-19

申请人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

发明人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78615

摘要： A method for fabricating a Finfet device with body contacts and a device fabricated using the method are provided. In one example, a silicon-on-insulator substrate is provided. A T-shaped active region is defined in the silicon layer of the silicon-on-insulator substrate. A source region and a drain region form two ends of a cross bar of the T-shaped active region and a body contact region forms a leg of the T-shaped active region. A gate oxide layer is grown on the active region. A polysilicon layer is deposited overlying the gate oxide layer and patterned to form a gate, where an end of the gate partially overlies the body contact region to complete formation of a Finfet device with body contact.

摘要翻译： 提供了一种用于制造具有主体触点的Finfet器件的方法和使用该方法制造的器件。 在一个示例中，提供绝缘体上硅衬底。 在绝缘体上硅衬底的硅层中限定T形有源区。 源极区域和漏极区域形成T形有源区域的横杆的两个端部，并且主体接触区域形成T形有源区域的腿部。 在有源区上生长栅氧化层。 沉积覆盖栅极氧化物层的多晶硅层并图案化以形成栅极，其中栅极的一端部分覆盖在主体接触区域上，以完成具有身体接触的Finfet器件的形成。

公开(公告)号：US20060084211A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US10968229

申请日：2004-10-19

申请人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

发明人： Kuo-Nan Yang ,  Yi-Lang Chen ,  Hou-Yu Chen ,  Fu-Liang Yang ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78615

摘要： A method for fabricating a Finfet device with body contacts and a device fabricated using the method are provided. In one example, a silicon-on-insulator substrate is provided. A T-shaped active region is defined in the silicon layer of the silicon-on-insulator substrate. A source region and a drain region form two ends of a cross bar of the T-shaped active region and a body contact region forms a leg of the T-shaped active region. A gate oxide layer is grown on the active region. A polysilicon layer is deposited overlying the gate oxide layer and patterned to form a gate, where an end of the gate partially overlies the body contact region to complete formation of a Finfet device with body contact.

摘要翻译： 提供了一种用于制造具有主体触点的Finfet器件的方法和使用该方法制造的器件。 在一个示例中，提供绝缘体上硅衬底。 在绝缘体上硅衬底的硅层中限定T形有源区。 源极区域和漏极区域形成T形有源区域的横杆的两个端部，并且主体接触区域形成T形有源区域的腿部。 在有源区上生长栅氧化层。 沉积覆盖栅极氧化物层的多晶硅层并图案化以形成栅极，其中栅极的一端部分覆盖在主体接触区域上，以完成具有身体接触的Finfet器件的形成。