公开(公告)号：US20150126022A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：US14336082

申请日：2014-07-21

申请人： Tae Hun KIM ,  Sung Joon KIM ,  Young Kyu SUNG ,  Wan Ho LEE ,  Tae Sung JANG ,  Tae Young PARK ,  Wan Tae LIM

发明人： Tae Hun KIM ,  Sung Joon KIM ,  Young Kyu SUNG ,  Wan Ho LEE ,  Tae Sung JANG ,  Tae Young PARK ,  Wan Tae LIM

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

摘要： According to an example embodiment, a method includes forming a nitrogen vacancy surface layer by treating a surface of an n-type nitride semiconductor with inert gas plasma, and forming an oxygen-added nitride film by treating a surface of the nitrogen vacancy surface layer with oxygen-containing gas plasma, and forming an electrode on the oxygen-added nitride film. The nitrogen vacancy surface layer lacks a nitrogen element.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种方法包括通过用惰性气体等离子体处理n型氮化物半导体的表面来形成氮空位表面层，并且通过用氮气空隙表面层的表面处理形成添加氧的氮化物膜 含氧气体等离子体，并在氧加成氮化物膜上形成电极。 氮空位表层缺少氮元素。

公开(公告)号：US09196487B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US14336082

申请日：2014-07-21

申请人： Tae Hun Kim ,  Sung Joon Kim ,  Young Kyu Sung ,  Wan Ho Lee ,  Tae Sung Jang ,  Tae Young Park ,  Wan Tae Lim

发明人： Tae Hun Kim ,  Sung Joon Kim ,  Young Kyu Sung ,  Wan Ho Lee ,  Tae Sung Jang ,  Tae Young Park ,  Wan Tae Lim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/223 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

摘要： According to an example embodiment, a method includes forming a nitrogen vacancy surface layer by treating a surface of an n-type nitride semiconductor with inert gas plasma, and forming an oxygen-added nitride film by treating a surface of the nitrogen vacancy surface layer with oxygen-containing gas plasma, and forming an electrode on the oxygen-added nitride film. The nitrogen vacancy surface layer lacks a nitrogen element.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种方法包括通过用惰性气体等离子体处理n型氮化物半导体的表面来形成氮空位表面层，并且通过用氮气空隙表面层的表面处理形成添加氧的氮化物膜 含氧气体等离子体，并在氧加成氮化物膜上形成电极。 氮空位表层缺少氮元素。