公开(公告)号：US06645682B2

公开(公告)日：2003-11-11

申请号：US10169033

申请日：2002-06-25

申请人： Hong-Sick Park ,  Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Sung-Chul Kang ,  Sae-Tae Oh ,  Doek-Man Kang

发明人： Hong-Sick Park ,  Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Sung-Chul Kang ,  Sae-Tae Oh ,  Doek-Man Kang

IPC分类号： G03F742

CPC分类号： G03F7/168 ,  G03F7/38 ,  G03F7/42 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133

摘要： A thinner for rinsing photoresist including 50 to 80 wt. % of n-butyl acetate, propylene glycol alkyl ether, and propylene glycol alkyl ether acetate, is provided. The thinner is neither toxic to humans nor ecologically undesirable and has no unpleasant odor. The waste solutions thereof and associated waste water are easily handed so as to render this thinner environmental friendly. Additionally, the photoresist thinner of the present invention has excellent rinsing ability.

摘要翻译： 用于冲洗光致抗蚀剂的稀释剂，包括50至80wt。 提供了乙酸正丁酯，丙二醇烷基醚和丙二醇烷基醚乙酸酯的％。 稀释剂既不对人体有毒，也不对生态有害，无异味。 其废溶液和相关的废水容易交付，以使其更环保。 此外，本发明的光致抗蚀剂薄膜具有优异的漂洗能力。

公开(公告)号：US06447975B1

公开(公告)日：2002-09-10

申请号：US09650898

申请日：2000-08-30

申请人： Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Hong-Sik Park ,  Yun-Jung Nah ,  Ki-Soo Kim ,  Sung-Chul Kang

发明人： Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Hong-Sik Park ,  Yun-Jung Nah ,  Ki-Soo Kim ,  Sung-Chul Kang

IPC分类号： G03F7023

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0226

摘要： A photoresist composition including a polymer resin for forming a photoresist layer, a photosensitive chemical that changes the solubility of the photoresist layer when exposed to some form of radiation and 3-methoxybutyl acetate and 4-butyrolactone as a solvent, is provided. The composition has a good photosensitivity and remainder ratio and no unpleasant odor.

摘要翻译： 提供了包含用于形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂的光致抗蚀剂组合物，当暴露于某种形式的辐射时改变光致抗蚀剂层的溶解度的光敏化合物和作为溶剂的4-丁内酯的4-乙内酯。 该组合物具有良好的光敏性和余量比，无异味。

公开(公告)号：US06338930B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：US09654927

申请日：2000-09-05

申请人： Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Hong-Sik Park ,  Yun-Jung Nah ,  Ki-Soo Kim ,  Sung-Chul Kang

发明人： Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Hong-Sik Park ,  Yun-Jung Nah ,  Ki-Soo Kim ,  Sung-Chul Kang

IPC分类号： G03C174

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/162

摘要： A method for preparing a positive photoresist layer is provided. In this method, a photoresist composition is drop-wise applied on an insulator layer or a conductive metal layer formed on a substrate. The photoresist composition includes a polymer resin, a sensitizer for changing solubility of the photoresist layer when exposed and a solvent. The coated substrate is rotated at the speed of 1,250 to 1,350 rpm for 4.2 to 4.8 seconds. The coated substrate is then dried and the dried substrate is exposed to some form of radiation. Next, the exposed portion is removed by using an alkaline developing solution. The solvent preferably includes 3-methoxybutyl acetate and 4-butyrolactone, or includes 3-methoxybutyl acetate, 2-heptanone, and 4-butyrolactone.

摘要翻译： 提供了制备正性光致抗蚀剂层的方法。 在该方法中，将光致抗蚀剂组合物逐滴施加在形成在基板上的绝缘体层或导电金属层上。 光致抗蚀剂组合物包括聚合物树脂，当曝光时改变光致抗蚀剂层的溶解度的敏化剂和溶剂。 涂布的基材以1,250至1350rpm的速度旋转4.2至4.8秒。 然后将涂覆的基材干燥并将干燥的基材暴露于某种形式的辐射。 接下来，通过使用碱性显影液去除曝光部分。 溶剂优选包括3-甲氧基丁酸乙酯和4-丁内酯，或包括3-甲氧基丁酸乙酯，2-庚酮和4-丁内酯。

公开(公告)号：US06461785B1

公开(公告)日：2002-10-08

申请号：US09651114

申请日：2000-08-30

申请人： Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Hong-Sik Park ,  Yun-Jung Nah ,  Ki-Soo Kim ,  Sung-Chul Kang

发明人： Jin-Ho Ju ,  Yu-Kyung Lee ,  Hong-Sik Park ,  Yun-Jung Nah ,  Ki-Soo Kim ,  Sung-Chul Kang

IPC分类号： G03F7023

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0226

摘要： A photoresist composition is provided. The photoresist composition includes a polymer resin for forming a photoresist layer, a photosensitive chemical for changing solubility of the photoresist layer when exposed to some form of radiation, and 3-methoxybutyl acetate, 2-heptanone, and 4-butyrolactone as a solvent. The composition has a good photosensitivity and remainder ratio, and no unpleasant odor.

摘要翻译： 提供光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂组合物包括用于形成光致抗蚀剂层的聚合物树脂，当暴露于某种形式的辐射时改变光致抗蚀剂层的溶解度的光敏化学品，以及3-甲氧基丁基乙酸酯，2-庚酮和4-丁内酯作为溶剂。 该组合物具有良好的光敏性和余量比，并且没有令人不愉快的气味。