公开(公告)号：US20090279350A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12432055

申请日：2009-04-29

申请人： Yi-Chou Chen ,  Yuyu Lin

发明人： Yi-Chou Chen ,  Yuyu Lin

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092

摘要： Memory devices and methods for operating such devices are described herein. A method as described herein includes applying a reset bias arrangement to a memory cell to change the resistance state from the lower resistance state to the higher resistance state. The reset bias arrangement comprises a first voltage pulse. The method further includes applying a set bias arrangement to the memory cell to change the resistance state from the higher resistance state to the lower resistance state. The set bias arrangement comprises a second voltage pulse, the second voltage pulse having a voltage polarity different from that of the first voltage pulse.

摘要翻译： 这里描述了用于操作这样的设备的存储器件和方法。 本文所述的方法包括将复位偏置布置应用于存储单元，以将电阻状态从较低电阻状态改变到较高电阻状态。 复位偏置装置包括第一电压脉冲。 该方法还包括将设置偏置装置应用于存储单元，以将电阻状态从较高电阻状态改变到较低电阻状态。 所述设定偏置装置包括第二电压脉冲，所述第二电压脉冲的电压极性与所述第一电压脉冲的极性不同。

公开(公告)号：US08077505B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12432055

申请日：2009-04-29

申请人： Yi-Chou Chen ,  Yuyu Lin

发明人： Yi-Chou Chen ,  Yuyu Lin

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092

摘要： Memory devices and methods for operating such devices are described herein. A method as described herein includes applying a reset bias arrangement to a memory cell to change the resistance state from the lower resistance state to the higher resistance state. The reset bias arrangement comprises a first voltage pulse. The method further includes applying a set bias arrangement to the memory cell to change the resistance state from the higher resistance state to the lower resistance state. The set bias arrangement comprises a second voltage pulse, the second voltage pulse having a voltage polarity different from that of the first voltage pulse.

摘要翻译： 这里描述了用于操作这样的设备的存储器件和方法。 本文所述的方法包括将复位偏置布置应用于存储单元，以将电阻状态从较低电阻状态改变到较高电阻状态。 复位偏置装置包括第一电压脉冲。 该方法还包括将设置偏置装置应用于存储单元，以将电阻状态从较高电阻状态改变到较低电阻状态。 所述设定偏置装置包括第二电压脉冲，所述第二电压脉冲的电压极性与所述第一电压脉冲的极性不同。

公开(公告)号：US20090323409A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12466650

申请日：2009-05-15

申请人： Yuyu Lin ,  Yi-Chou Chen

发明人： Yuyu Lin ,  Yi-Chou Chen

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/416 ,  H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092

摘要： Phase change based memory devices and methods for operating described herein overcome the performance limitations of slow set speeds and long recovery times commonly associated with phase change memory devices, enabling high speed operation and extending their usefulness into high speed applications typically filled by DRAM and SRAM memory.

摘要翻译： 基于相变的存储器件和本文描述的操作方法克服了慢设定速度和通常与相变存储器件相关联的长恢复时间的性能限制，使得能够进行高速操作并将其有用性扩展到通常由DRAM和SRAM存储器填充的高速应用 。

公开(公告)号：US08134857B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12466650

申请日：2009-05-15

申请人： Yuyu Lin ,  Yi-Chou Chen

发明人： Yuyu Lin ,  Yi-Chou Chen

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092

摘要： Phase change based memory devices and methods for operating described herein overcome the performance limitations of slow set speeds and long recovery times commonly associated with phase change memory devices, enabling high speed operation and extending their usefulness into high speed applications typically filled by DRAM and SRAM memory.

摘要翻译： 基于相变的存储器件和本文描述的操作方法克服了慢设定速度和通常与相变存储器件相关联的长恢复时间的性能限制，使得能够进行高速操作并将其有用性扩展到通常由DRAM和SRAM存储器填充的高速应用 。

公开(公告)号：US20110180775A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12692861

申请日：2010-01-25

申请人： Yuyu LIN ,  Feng-Ming Lee ,  Yi-Chou Chen

发明人： Yuyu LIN ,  Feng-Ming Lee ,  Yi-Chou Chen

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/18 ,  H01L21/06

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145

摘要： A programmable metallization device, comprises a first electrode; a memory layer electrically coupled to the first electrode and adapted for electrolytic formation and destruction of a conducting bridge therethrough; an ion-supplying layer containing a source of ions of a first metal element capable of diffusion into and out of the memory layer; a conductive ion buffer layer between the ion-supplying layer and the memory layer, and which allows diffusion therethrough of said ions; and a second electrode electrically coupled to the ion-supplying layer. Circuitry is coupled to the device to apply bias voltages to the first and second electrodes to induce creation and destruction of conducting bridges including the first metal element in the memory layer. The ion buffer layer can improve retention of the conducting bridge by reducing the likelihood that the first metallic element will be absorbed into the ion supplying layer.

摘要翻译： 可编程金属化器件，包括第一电极; 存储层，其电耦合到所述第一电极并适于通过其导电桥的电解形成和破坏; 离子供给层，其含有能够扩散到所述存储层中的第一金属元素的离子源; 在离子供给层和存储层之间的导电离子缓冲层，并且允许所述离子的扩散; 以及电耦合到所述离子供应层的第二电极。 电路耦合到器件以向第一和第二电极施加偏置电压，以引起包括存储器层中的第一金属元件的导电桥的产生和破坏。 离子缓冲层可以通过降低第一金属元素被吸收到离子供给层中的可能性来改善导电桥的保留。