公开(公告)号：US20130042212A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13652467

申请日：2012-10-15

申请人： ASML Netherlands B.V.

发明人： William S. Wong ,  Been-Der Chen ,  Yenwen Lu ,  Jiangwei Li ,  Tatsuo Nishibe

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/144 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705

摘要： The method of the invention tracks how the collective movement of edge segments in a mask layout alters the resist image values at control points in the layout and simultaneously determines a correction amount for each edge segment in the layout. A multisolver matrix that represents the collective effect of movements of each edge segment in the mask layout is used to simultaneously determine the correction amount for each edge segment in the mask layout.

摘要翻译： 本发明的方法跟踪掩模布局中边缘段的集体移动如何在布局中的控制点处改变抗蚀剂图像值，同时确定布局中每个边缘段的校正量。 用于表示掩模布局中每个边缘段的移动的集合效果的多分离器矩阵用于同时确定掩模布局中每个边缘段的校正量。