公开(公告)号：US06566272B2

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US09360883

申请日：1999-07-23

申请人： Alex Paterson ,  John M. Yamartino ,  Peter K. Loewenhardt ,  Wade Zawalski

发明人： Alex Paterson ,  John M. Yamartino ,  Peter K. Loewenhardt ,  Wade Zawalski

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： A method for processing a semiconductor wafer with a plasma using continuous RF power for a first phase of wafer processing and with pulsed RF power for a second phase of wafer processing.

摘要翻译： 一种使用等离子体处理半导体晶片的方法，该等离子体使用用于晶片处理的第一阶段的连续RF功率和用于晶片处理的第二阶段的脉冲RF功率。

公开(公告)号：US06558564B1

公开(公告)日：2003-05-06

申请号：US09543392

申请日：2000-04-05

申请人： Peter K. Loewenhardt ,  Wade Zawalski

发明人： Peter K. Loewenhardt ,  Wade Zawalski

IPC分类号： B44C122

CPC分类号： H01J37/32082

摘要： In the present invention, electron temperature is controlled by modifying the power delivered to the plasma by inducing or enhancing natural instabilities between the plasma and the power source. As a result, no pulse modulation of the RF power or RF generator is required. The instability is enhanced until the desired reduction in electron temperature has been achieved. In accordance with the invention, there are several modes for inducing such a natural instability.

摘要翻译： 在本发明中，通过诱导或增强等离子体和电源之间的自然不稳定性来改变传递到等离子体的功率来控制电子温度。 因此，不需要RF功率或RF发生器的脉冲调制。 不稳定性增强，直到达到期望的电子温度降低。 根据本发明，有几种诱导这种自然不稳定的方式。

公开(公告)号：US06352049B1

公开(公告)日：2002-03-05

申请号：US09119417

申请日：1998-07-20

申请人： Gerald Yin ,  Arnold Kolandenko ,  Hong Ching Shan ,  Peter Loewenhardt ,  Chii Lee ,  Yan Ye ,  Xueyan Qian ,  Songlin Xu ,  Arthur Chen ,  Arthur Sato ,  Michael Grimbergen ,  Diana Ma ,  John Yamartino ,  Chun Yan ,  Wade Zawalski

发明人： Gerald Yin ,  Arnold Kolandenko ,  Hong Ching Shan ,  Peter Loewenhardt ,  Chii Lee ,  Yan Ye ,  Xueyan Qian ,  Songlin Xu ,  Arthur Chen ,  Arthur Sato ,  Michael Grimbergen ,  Diana Ma ,  John Yamartino ,  Chun Yan ,  Wade Zawalski

IPC分类号： C23E1648

CPC分类号： H01J37/32871

摘要： The present invention provides an apparatus and method, for plasma assisted processing of a workpiece, which provides for separate control of species density within a processing plasma. The present invention has a processing chamber and at least one collateral chamber. The collateral chamber is capable of generating a collateral plasma and delivering it to the processing chamber. To control the densities of the particle species within the processing chamber the present invention may have: a filter interposed between the collateral chamber and the processing chamber, primary chamber source power, several collateral chambers providing separate inputs to the processing chamber, or combinations thereof. Collateral plasma may be: filtered, combined with primary chamber generated plasma, combined with another collateral plasma, or combinations thereof to separately control the densities of the species comprising the processing plasma.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于工件的等离子体辅助处理的装置和方法，其提供对处理等离子体内的物质密度的单独控制。 本发明具有处理室和至少一个辅助室。 辅助室能够产生旁路血浆并将其输送到处理室。 为了控制处理室内的颗粒物质的密度，本发明可以具有：插入在侧室和处理室之间的过滤器，主室源功率，向处理室提供单独输入的若干附属室，或其组合。 附带等离子体可以是：过滤，与初级室产生的等离子体组合，与另一副侧血浆或其组合组合以分别控制包含处理血浆的物质的密度。