公开(公告)号：US20090227117A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12421036

申请日：2009-04-09

申请人： Antonio L.P. Rotondaro ,  Luigi Colombo ,  Mark R. Visokay ,  Rajesh Khamankar ,  Douglas E. Mercer

发明人： Antonio L.P. Rotondaro ,  Luigi Colombo ,  Mark R. Visokay ,  Rajesh Khamankar ,  Douglas E. Mercer

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A MOSFET structure including silicate gate dielectrics with nitridation treatments of the gate dielectric prior to gate material deposition.

摘要翻译： 一种MOSFET结构，包括在栅极材料沉积之前具有栅极电介质的氮化处理的硅酸盐栅极电介质。