公开(公告)号：US20150076110A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14028099

申请日：2013-09-16

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Kai WU ,  Sang Ho YU ,  Kie Jin PARK ,  Glen T. MORI ,  Joshua COLLINS

IPC: C23F4/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23F4/00 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02068

Abstract: Embodiments described herein generally provide a method for performing a semiconductor precleaning process. More specifically, embodiments provided herein relate to boron ionization for aluminum oxide etch enhancement. A process for removing native oxide from aluminum may utilize ionized boron alone or in combination with a halogen plasma. The ionized boron may provide improved aluminum oxide etching properties while being highly selective for native oxides more generally.

Abstract translation: 本文描述的实施例通常提供了一种用于执行半导体预清洗处理的方法。 更具体地，本文提供的实施方案涉及用于氧化铝蚀刻增强的硼电离。 从铝中除去天然氧化物的方法可以单独使用电离硼或与卤素等离子体组合使用。 电离硼可以提供改进的氧化铝蚀刻性质，同时更通常地对天然氧化物具有高选择性。