公开(公告)号：US20150200042A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：US14152978

申请日：2014-01-10

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Mang Mang Ling ,  Sean S. Kang ,  Jeremiah T P Pender ,  Srinivas D. Nemani ,  Bradley J. Howard

IPC: H01B19/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01B19/04 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334

Abstract: A portion of the ultra-low k dielectric layer over a substrate is modified using a downstream plasma comprising a first chemistry. The modified portion of the ultra-low k dielectric layer is etched using the downstream plasma comprising a second chemistry. The downstream plasma is generated using a remote plasma source.

Abstract translation: 使用包含第一化学物质的下游等离子体改变衬底上的超低k电介质层的一部分。 使用包括第二化学物质的下游等离子体蚀刻超低k电介质层的改性部分。 使用远程等离子体源产生下游等离子体。