利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

211 条记录 (耗时 0.068 秒)

    Decoupled data stream and access structures
    2.
    发明授权
    Decoupled data stream and access structures 有权
    解耦数据流和访问结构

    公开(公告)号：US07930559B1

    公开(公告)日：2011-04-19

    申请号：US11480346

    申请日：2006-06-30

    申请人： Arthur Beaverson ,  Bin Yang ,  Jamie Pocas

    发明人： Arthur Beaverson ,  Bin Yang ,  Jamie Pocas

    IPC分类号： G06F11/28

    CPC分类号： G06F17/30368 ,  G06F11/1448 ,  G06F11/1453 ,  G06F11/1456 ,  G06F11/1458 ,  G06F11/1461

    摘要： Described are techniques for storing data. A plurality of data portions and a corresponding token for each of the data portions are received. Each of said plurality of data portions is to be stored by one of a plurality of processes and each token has a corresponding token value. Each of the data portions is stored at a storage location on a device allocated for use by one of said plurality of processes. An entry is written in a log file in accordance with said storing of the data portion. The log file is a private log file of one of the plurality processes. An access structure used to access stored data portions is updated. The access structure is indexed by token values of the stored data portions. The updating of the access structure is performed in accordance with log entries from private log files of the plurality of processes.

    摘要翻译： 描述了用于存储数据的技术。 接收用于每个数据部分的多个数据部分和相应的令牌。 所述多个数据部分中的每一个将通过多个进程中的一个进行存储，并且每个令牌具有对应的令牌值。 每个数据部分被存储在被分配供所述多个进程之一使用的设备上的存储位置处。 根据所述数据部分的存储，将条目写入日志文件。 日志文件是多个进程之一的专用日志文件。 用于访问存储的数据部分的访问结构被更新。 访问结构由存储的数据部分的令牌值索引。 根据多个进程的专用日志文件的日志条目执行访问结构的更新。

    Positional allocation
    3.
    发明授权
    Positional allocation 有权
    位置分配

    公开(公告)号：US07640262B1

    公开(公告)日：2009-12-29

    申请号：US11480322

    申请日：2006-06-30

    申请人： Arthur Beaverson ,  Bin Yang ,  Jamie Pocas

    发明人： Arthur Beaverson ,  Bin Yang ,  Jamie Pocas

    IPC分类号： G06F17/30

    CPC分类号： G06F17/30327 ,  Y10S707/99942

    摘要： Described are techniques for managing an index structure used to access data portions. A token having a token value for a data portion is provided. An entry in said index structure for said data portion is provided. The index structure is accessed using said token value as a key to determine said entry in said index structure for said data portion. The entry is allocated to have a location in accordance with said token value.

    摘要翻译： 描述了用于管理用于访问数据部分的索引结构的技术。 提供了具有数据部分的令牌值的令牌。 提供了用于所述数据部分的所述索引结构中的条目。 使用所述令牌值作为键来访问索引结构，以确定所述数据部分的所述索引结构中的所述条目。 该条目被分配为具有根据所述令牌值的位置。

    Glucagon antagonists
    6.
    发明授权
    Glucagon antagonists 有权
    胰高血糖素拮抗剂

    公开(公告)号：US08981047B2

    公开(公告)日：2015-03-17

    申请号：US12739342

    申请日：2008-10-23

    申请人： Richard D. Dimarchi ,  Bin Yang

    发明人： Richard D. Dimarchi ,  Bin Yang

    IPC分类号： A61K38/26 ,  C07K14/605 ,  C07K14/00 ,  A61K38/00

    CPC分类号： C07K14/605 ,  A61K38/00

    摘要： Glucagon antagonists are provided which comprise amino acid substitutions and/or chemical modifications to glucagon sequence. In one embodiment, the glucagon antagonists comprise a native glucagon peptide that has been modified by the deletion of the first two to five amino acid residues from the N-terminus and (i) an amino acid substitution at position 9 (according to the numbering of native glucagon) or (ii) substitution of the Phe at position 6 (according to the numbering of native glucagon) with phenyl lactic acid (PLA). In another embodiment, the glucagon antagonists comprise the structure A-B-C as described herein, wherein A is PLA, an oxy derivative thereof, or a peptide of 2-6 amino acids in which two consecutive amino acids of the peptide are linked via an ester or ether bond.

    摘要翻译： 提供了包含对胰高血糖素序列的氨基酸取代和/或化学修饰的胰高血糖素拮抗剂。 在一个实施方案中，胰高血糖素拮抗剂包含通过从N-末端缺失前两个至五个氨基酸残基而修饰的天然胰高血糖素肽，以及（i）在第9位的氨基酸取代（根据 天然胰高血糖素）或（ii）用苯基乳酸（PLA）取代第6位的Phe（根据天然胰高血糖素的编号）。 在另一个实施方案中，胰高血糖素拮抗剂包含如本文所述的结构ABC，其中A是PLA，其氧衍生物或2-6个氨基酸的肽，其中肽的两个连续氨基酸经由酯或醚连接 键。

    Use of band edge gate metals as source drain contacts
    8.
    发明授权
    Use of band edge gate metals as source drain contacts 有权
    使用带边栅极金属作为源极漏极触点

    公开(公告)号：US08741753B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US13611736

    申请日：2012-09-12

    申请人： Kisik Choi ,  Christian Lavoie ,  Paul M. Solomon ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    发明人： Kisik Choi ,  Christian Lavoie ,  Paul M. Solomon ,  Bin Yang ,  Zhen Zhang

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

    摘要： A device includes a gate stack formed over a channel in a semiconductor substrate. The gate stack includes a layer of gate insulator material, a layer of gate metal overlying the layer of gate insulator material, and a layer of contact metal overlying the layer band edge gate metal. The device further includes source and drain contacts adjacent to the channel. The source and drain contacts each include a layer of the gate metal that overlies and is in direct electrical contact with a doped region of the semiconductor substrate, and a layer of contact metal that overlies the layer of gate metal.

    摘要翻译： 一种器件包括形成在半导体衬底中的沟道上方的栅叠层。 栅极堆叠包括栅极绝缘体材料层，覆盖栅极绝缘体材料层的栅极金属层和覆盖层带边缘栅极金属的接触金属层。 该装置还包括邻近通道的源极和漏极接触。 源极和漏极触点各自包括覆盖并与半导体衬底的掺杂区域直接电接触的栅极金属层以及覆盖在栅极金属层上的接触金属层。

    MOSFET integrated circuit with uniformly thin silicide layer and methods for its manufacture
    10.
    发明授权
    MOSFET integrated circuit with uniformly thin silicide layer and methods for its manufacture 有权
    具有均匀薄的硅化物层的MOSFET集成电路及其制造方法

    公开(公告)号：US08652963B2

    公开(公告)日：2014-02-18

    申请号：US13237732

    申请日：2011-09-20

    申请人： Bin Yang ,  Christian Lavoie ,  Emre Alptekin ,  Ahmet S. Ozcan ,  Cung D. Tran ,  Mark Raymond

    发明人： Bin Yang ,  Christian Lavoie ,  Emre Alptekin ,  Ahmet S. Ozcan ,  Cung D. Tran ,  Mark Raymond

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： An MOSFET device having a Silicide layer of uniform thickness, and methods for its fabrication, are provided. One such method involves depositing a metal layer over wide and narrow contact trenches on the surface of a silicon semiconductor substrate. Upon formation of a uniformly thin amorphous intermixed alloy layer at the metal/silicon interface, the excess (unreacted) metal is removed. The device is annealed to facilitate the formation of a thin silicide layer on the substrate surface which exhibits uniform thickness at the bottoms of both wide and narrow contact trenches.

    摘要翻译： 提供具有均匀厚度的硅化物层的MOSFET器件及其制造方法。 一种这样的方法包括在硅半导体衬底的表面上的宽且窄的接触沟槽上沉积金属层。 在金属/硅界面处形成均匀薄的无定形混合合金层时，除去过量的（未反应的）金属。 该器件被退火以促进在衬底表面上形成薄的硅化物层，其在宽和窄接触沟槽的底部显示均匀的厚度。