公开(公告)号：US20160258055A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：US15157936

申请日：2016-05-18

申请人： Asahi Glass Company, Limited

发明人： Hiroaki IWAOKA ,  Atsushi SEKI ,  Kousuke CHONAN ,  Reo USUI ,  Toshio SUZUKI ,  Tomomi ABE

IPC分类号： C23C16/40 ,  C09D1/00 ,  C03C17/34

CPC分类号： C23C16/405 ,  C03C17/2456 ,  C03C17/3417 ,  C03C2217/212 ,  C03C2217/73 ,  C03C2217/77 ,  C03C2218/1525 ,  C09D1/00

摘要： The present invention relates to a method for forming a TiO2 thin film on a substrate by using an atmospheric pressure CVD method, in which a raw material gas contains titanium tetraisopropoxide (TTIP) and a chloride of a metal M vaporizable in a temperature range of 100 to 400° C. and the amount of the chloride of the metal M is from 0.01 to 0.18 as a concentration ratio to the titanium tetraisopropoxide (TTIP) (chloride of metal M (mol %)/TTIP (mol %)).

摘要翻译： 本发明涉及通过使用大气压CVD法在基板上形成TiO 2薄膜的方法，其中原料气体含有四异丙醇钛（TTIP）和在100℃的温度范围内可汽化的金属M的氯化物 （TTIP）（金属M（mol％）/ TTIP（摩尔％））的氯化物的浓度比，金属M的氯化物的量为0.01〜0.18。