公开(公告)号：US5581087A

公开(公告)日：1996-12-03

申请号：US384747

申请日：1995-02-07

申请人： Ashraf Uddin ,  Fumio Ueno

发明人： Ashraf Uddin ,  Fumio Ueno

IPC分类号： G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

CPC分类号： H01L31/0312 ,  H01L31/02322

摘要： A radiation detector includes a photodiode composed of an .alpha.-SiC substrate of a first conductivity type, a first .alpha.-SiC layer of the first conductivity type epitaxially formed on the .alpha.-SiC substrate, a second .alpha.-SiC layer of a second conductivity type having higher carriers concentration than the first .alpha.-SiC layer and epitaxially formed on the first .alpha.-SiC layer, a first electrode formed on the .alpha.-SiC substrate in ohmic contact, and a second electrode formed on the second .alpha.-SiC layer in ohmic contact; and a phosphor layer disposed on the photodiode to emit ultraviolet-rays by exposure of radiations.

摘要翻译： 辐射检测器包括由第一导电类型的α-SiC衬底，外延形成在α-Si衬底上的第一导电类型的第一α-SiC层，第二导电类型的第二α-SiC层， 具有比第一α-SiC层高的载流子浓度并且在第一α-SiC层上外延形成的第一电极，形成在欧姆接触的α-SiC基板上的第一电极，以及形成在第二α-SiC层上的第二电极，欧姆 联系; 以及设置在光电二极管上以通过辐射曝光而发射紫外线的荧光体层。