公开(公告)号：US09127360B2

公开(公告)日：2015-09-08

申请号：US12887647

申请日：2010-09-22

申请人： Balasubramanian Ramachandran ,  Errol Antonio C. Sanchez ,  Nyi O. Myo ,  Kevin Joseph Bautista ,  Harpreet Singh Juneja ,  Zuoming Zhu

发明人： Balasubramanian Ramachandran ,  Errol Antonio C. Sanchez ,  Nyi O. Myo ,  Kevin Joseph Bautista ,  Harpreet Singh Juneja ,  Zuoming Zhu

IPC分类号： C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, an apparatus for processing a substrate includes a process chamber having a substrate support disposed therein to support a processing surface of a substrate at a desired position within the process chamber; a first inlet port to provide a first process gas over the processing surface of the substrate in a first direction; a second inlet port to provide a second process gas over the processing surface of the substrate in a second direction different from the first direction, wherein an azimuthal angle measured between the first direction and the second direction with respect to a central axis of the substrate support is up to about 145 degrees; and an exhaust port disposed opposite the first inlet port to exhaust the first and second process gases from the process chamber.

摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，用于处理衬底的设备包括处理室，其具有设置在其中的衬底支撑件，以在处理室内的期望位置处支撑衬底的处理表面; 第一入口端口，用于在第一方向上在衬底的处理表面上提供第一工艺气体; 第二入口端口，用于在不同于第一方向的第二方向上在衬底的处理表面上提供第二工艺气体，其中在第一方向和第二方向之间相对于衬底支撑件的中心轴线测量的方位角 高达约145度; 以及与第一入口相对设置的排气口，以从处理室排出第一和第二处理气体。