公开(公告)号：US20130011581A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13535844

申请日：2012-06-28

申请人： Barbara Müller ,  Heinz KRAUS ,  Elmar MONZ ,  Mikhail SOFIN

发明人： Barbara Müller ,  Heinz KRAUS ,  Elmar MONZ ,  Mikhail SOFIN

IPC分类号： B05C13/02 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01J37/32477 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32559

摘要： A device for protecting electrode holders in CVD reactors includes an electrode suitable for accommodating a filament rod on an electrode holder which includes an electrically conductive material and is installed in a recess of a bottom plate, wherein an intermediate space between an electrode holder and a bottom plate is sealed by means of a sealing material, and the sealing material is protected by a protective body which is made up of one or more parts and is arranged in a ring-like manner around the electrodes, and the height of the protective body increases at least in sections in the direction of the electrode holder.

摘要翻译： 用于保护CVD反应器中的电极保持器的装置包括一个适用于容纳长丝棒的电极，该电极夹持器包括导电材料并安装在底板的凹槽中，其中电极座和底部之间的中间空间 板通过密封材料密封，并且密封材料由一个或多个部件构成的保护体保护，并且围绕电极以环状布置，并且保护体的高度增加 至少在电极保持器的方向上的部分。

公开(公告)号：US20110229658A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13044107

申请日：2011-03-09

申请人： Heinz KRAUS ,  Mikhail SOFIN

发明人： Heinz KRAUS ,  Mikhail SOFIN

IPC分类号： C23C16/24 ,  H05B3/10 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC分类号： C01B33/035 ,  H01M4/96

摘要： The present invention relates to an electrode composed of carbon having at least two different zones, wherein an outer zone (A) forms the base of the electrode and carries one or more inner zones, wherein the innermost zone (B) projects from the zone (A) at the top and has a lower specific thermal conductivity than zone (A).

摘要翻译： 本发明涉及由具有至少两个不同区域的碳组成的电极，其中外部区域（A）形成电极的基底并且承载一个或多个内部区域，其中最内部区域（B）从该区域突出（ A），并且具有比区（A）低的比热导率。

公开(公告)号：US20130089488A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13618044

申请日：2012-09-14

申请人： Mikhail SOFIN

发明人： Mikhail SOFIN

IPC分类号： B01J19/00 ,  C01B33/021

CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/035

摘要： The invention relates to an apparatus for deposition of polycrystalline silicon, including a reactor chamber with a reactor wall, at least 20 filament rods and gas inlet orifices for reaction gas in the reactor chamber, wherein each filament rod—except for the filament rods close to the reactor wall—has, at a distance of 150 to 450 mm, three further adjacent filament rods and one to three adjacent gas inlet orifices. The invention further relates to a process for depositing polycrystalline silicon on filament rods in such an apparatus, the gas inlet orifices are used to introduce a silicon-containing gas into the reactor chamber and the filament rods are heated to a temperature at which silicon is deposited thereon.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于沉积多晶硅的装置，包括具有反应器壁的反应器室，用于反应器室中的反应气体的至少20个长丝杆和气体入口孔，其中每个细丝杆 - 除了丝杆接近 反应器壁具有150至450mm的距离，具有三个相邻的细丝杆和一个至三个相邻的气体入口孔。 本发明还涉及一种在这种设备中将多晶硅沉积在丝棒上的方法，气体入口孔用于将含硅气体引入反应器室中，并将长丝杆加热到沉积硅的温度 上。