公开(公告)号：US07970982B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US11761620

申请日：2007-06-12

申请人： Ki-Hong Kim ,  Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Ki-Hong Kim ,  Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G11C16/20

摘要： A memory card includes: a first memory chip responding to all commands input externally; and a second memory chip responding to commands, among the commands input externally, relevant to reading, programming, and erasing operations with data. Card identification information stored in the first memory chip includes capacity information corresponding to a sum of sizes of the first and second memory chips. The plurality of memory chips of the memory card are useful in designing the memory card with storage capacity in various forms.

摘要翻译： 存储卡包括：响应于外部输入的所有命令的第一存储器芯片; 以及响应命令的第二存储器芯片，在外部输入的命令中与数据的读取，编程和擦除操作相关。 存储在第一存储器芯片中的卡识别信息包括对应于第一和第二存储器芯片的尺寸之和的容量信息。 存储卡的多个存储芯片可用于以各种形式设计具有存储容量的存储卡。

公开(公告)号：US08259501B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US13006068

申请日：2011-01-13

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483

摘要： A memory system includes a memory and a memory controller operating to control the memory. The memory includes a random accessible memory including a memory cell array operable in a random access mode, a NAND flash memory, and a selection circuit making the memory controller operate either one of the random accessible memory or the NAND flash memory.

摘要翻译： 存储器系统包括操作以控制存储器的存储器和存储器控制器。 存储器包括随机存取存储器，其包括以随机存取模式操作的存储单元阵列，NAND闪速存储器和使存储器控制器操作随机存取存储器或NAND闪速存储器之一的选择电路。

公开(公告)号：US20080181008A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11693106

申请日：2007-03-29

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/20

摘要： A flash memory system capable of improving an access performance and an access method thereof. The system includes: a flash memory device including a plurality of storage regions; a contents memory storing setting information corresponding to the plurality of storage regions, respectively; and a processing unit setting operation conditions of the flash memory device by referring to the setting information during an access operation for the flash memory device.

摘要翻译： 一种能够提高访问性能的闪存系统及其访问方法。 该系统包括：闪存器件，包括多个存储区域; 内容存储器，分别存储与所述多个存储区域相对应的设置信息; 以及处理单元，在闪速存储器件的访问操作期间参考设置信息来设置闪速存储器件的操作条件。

公开(公告)号：US20110101114A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US13006068

申请日：2011-01-13

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G06K19/073

CPC分类号： G11C16/0483

摘要： A memory system includes a memory and a memory controller operating to control the memory. The memory includes a random accessible memory including a memory cell array operable in a random access mode, a NAND flash memory, and a selection circuit making the memory controller operate either one of the random accessible memory or the NAND flash memory.

摘要翻译： 存储器系统包括操作以控制存储器的存储器和存储器控制器。 存储器包括随机存取存储器，其包括以随机存取模式操作的存储单元阵列，NAND闪速存储器和使存储器控制器操作随机存取存储器或NAND闪速存储器之一的选择电路。

公开(公告)号：US08576626B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13570960

申请日：2012-08-09

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483

摘要： A memory system includes a memory and a memory controller operating to control the memory. The memory includes a random accessible memory including a memory cell array operable in a random access mode, a NAND flash memory, and a selection circuit making the memory controller operate either one of the random accessible memory or the NAND flash memory.

摘要翻译： 存储器系统包括操作以控制存储器的存储器和存储器控制器。 存储器包括随机存取存储器，其包括以随机存取模式操作的存储单元阵列，NAND闪速存储器和使存储器控制器操作随机存取存储器或NAND闪存之一的选择电路。

公开(公告)号：US20110225351A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13111489

申请日：2011-05-19

申请人： Ki-Hong Kim ,  Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Ki-Hong Kim ,  Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C16/20

摘要： A memory card includes: a first memory chip responding to all commands input externally; and a second memory chip responding to commands, among the commands input externally, relevant to reading, programming, and erasing operations with data. Card identification information stored in the first memory chip includes capacity information corresponding to a sum of sizes of the first and second memory chips. The plurality of memory chips of the memory card are useful in designing the memory card with storage capacity in various forms.

摘要翻译： 存储卡包括：响应于外部输入的所有命令的第一存储器芯片; 以及响应命令的第二存储器芯片，在外部输入的命令中与数据的读取，编程和擦除操作相关。 存储在第一存储器芯片中的卡识别信息包括对应于第一和第二存储器芯片的尺寸之和的容量信息。 存储卡的多个存储芯片可用于以各种形式设计具有存储容量的存储卡。

公开(公告)号：US07889555B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US11764613

申请日：2007-06-18

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483

摘要： A memory system includes a memory and a memory controller operating to control the memory. The memory includes a random accessible memory including a memory cell array operable in a random access mode, a NAND flash memory, and a selection circuit making the memory controller operate either one of the random accessible memory or the NAND flash memory.

摘要翻译： 存储器系统包括操作以控制存储器的存储器和存储器控制器。 存储器包括随机存取存储器，其包括以随机存取模式操作的存储单元阵列，NAND闪速存储器和使存储器控制器操作随机存取存储器或NAND闪速存储器之一的选择电路。

公开(公告)号：US20080192542A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11764613

申请日：2007-06-18

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Ki-Hong Kim ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G11C11/409

CPC分类号： G11C16/0483

摘要： A memory system includes a memory and a memory controller operating to control the memory. The memory includes a random accessible memory including a memory cell array operable in a random access mode, a NAND flash memory, and a selection circuit making the memory controller operate either one of the random accessible memory or the NAND flash memory.

摘要翻译： 存储器系统包括操作以控制存储器的存储器和存储器控制器。 存储器包括随机存取存储器，其包括以随机存取模式操作的存储单元阵列，NAND闪速存储器和使存储器控制器操作随机存取存储器或NAND闪速存储器之一的选择电路。

公开(公告)号：US20080189474A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11761620

申请日：2007-06-12

申请人： Ki-Hong Kim ,  Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

发明人： Ki-Hong Kim ,  Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Won Lee ,  Sun-Kwon Kim

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C16/20

摘要： A memory card includes: a first memory chip responding to all commands input externally; and a second memory chip responding to commands, among the commands input externally, relevant to reading, programming, and erasing operations with data. Card identification information stored in the first memory chip includes capacity information corresponding to a sum of sizes of the first and second memory chips. The plurality of memory chips of the memory card are useful in designing the memory card with storage capacity in various forms.

摘要翻译： 存储卡包括：响应于外部输入的所有命令的第一存储器芯片; 以及响应命令的第二存储器芯片，在外部输入的命令中与数据的读取，编程和擦除操作相关。 存储在第一存储器芯片中的卡识别信息包括对应于第一和第二存储器芯片的尺寸之和的容量信息。 存储卡的多个存储芯片可用于以各种形式设计具有存储容量的存储卡。

公开(公告)号：US06690227B2

公开(公告)日：2004-02-10

申请号：US10055269

申请日：2002-01-22

申请人： Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Keun Lee ,  Seung-Won Lee

发明人： Byeong-Hoon Lee ,  Seung-Keun Lee ,  Seung-Won Lee

IPC分类号： G05F110

CPC分类号： H02M3/073 ,  H02M2003/078

摘要： A charge pump circuit includes a plurality of serially connected pump stages. Each pump stage includes current paths connected between a gate terminal of a charge transfer transistor and a drain terminal thereof. One of the charge transfer paths allows charges to be transferred from the drain terminal to the gate terminal while the other path allows charges to be transferred from the gate terminal to the drain terminal. The charge pump circuit can generate a high target voltage using a very low power supply voltage (e.g., 2V or lower).

摘要翻译： 电荷泵电路包括多个串联连接的泵级。 每个泵级包括连接在电荷转移晶体管的栅极端子和其漏极端子之间的电流路径。 电荷转移路径之一允许电荷从漏极端子传送到栅极端子，而另一路径允许电荷从栅极端子传输到漏极端子。 电荷泵电路可以使用非常低的电源电压（例如2V或更低）产生高目标电压。