公开(公告)号：US07531456B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11602270

申请日：2006-11-21

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  Y10S438/925

摘要： Mask patterns used for forming patterns or trenches may include first mask patterns, which may be formed by a typical photolithography process, and second mask patterns, which may be formed in a self-aligned manner between adjacent first mask patterns. A sacrificial layer may be deposited and planarized such that the tops of the first mask patterns and the second mask patterns have planar surfaces. After the planarization of the sacrificial layer, the remaining the sacrificial layer may be removed by an ashing process.

摘要翻译： 用于形成图案或沟槽的掩模图案可以包括可以通过典型的光刻工艺形成的第一掩模图案和可以在相邻的第一掩模图案之间以自对准方式形成的第二掩模图案。 牺牲层可以沉积并平坦化，使得第一掩模图案的顶部和第二掩模图案具有平坦表面。 在牺牲层的平坦化之后，剩余的牺牲层可以通过灰化处理去除。

公开(公告)号：US20070148968A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11602270

申请日：2006-11-21

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  Y10S438/925

摘要： Mask patterns used for forming patterns or trenches may include first mask patterns, which may be formed by a typical photolithography process, and second mask patterns, which may be formed in a self-aligned manner between adjacent first mask patterns. A sacrificial layer may be deposited and planarized such that the tops of the first mask patterns and the second mask patterns have planar surfaces. After the planarization of the sacrificial layer, the remaining the sacrificial layer may be removed by an ashing process.

摘要翻译： 用于形成图案或沟槽的掩模图案可以包括可以通过典型的光刻工艺形成的第一掩模图案和可以在相邻的第一掩模图案之间以自对准方式形成的第二掩模图案。 牺牲层可以沉积并平坦化，使得第一掩模图案的顶部和第二掩模图案具有平坦表面。 在牺牲层的平坦化之后，剩余的牺牲层可以通过灰化处理去除。