利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

5 条记录 (耗时 0.016 秒)

    SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING INCREASED AREA CONTACTS
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING INCREASED AREA CONTACTS 有权
    半导体器件，包括增加的领域联系

    公开(公告)号：US20160284700A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：US15054852

    申请日：2016-02-26

    申请人： Changseop Yoon ,  SOON CHO

    发明人： Changseop Yoon ,  SOON CHO

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

    摘要： A semiconductor device can include a plurality of active patterns protruding from a substrate and spaced apart on the substrate by first and second distances. A plurality of selective epitaxial growth portions can be each grown on an upper surface of a respective one of the plurality of active patterns. A source/drain contact can be extending across the plurality of selective epitaxial growth portions to remain above top surfaces of first ones of plurality of active patterns that are spaced apart by the first distance between the first ones of plurality of active patterns and can include an extension that extends toward the substrate to below top surfaces of two of the plurality of active patterns that are spaced apart by the second distance between the two of the plurality of active patterns.

    摘要翻译： 半导体器件可以包括从衬底突出并且在衬底上以第一和第二距离间隔开的多个有源图案。 可以在多个有源图案中的相应一个的上表面上生长多个选择性外延生长部分。 源极/漏极接触可以跨越多个选择性外延生长部分延伸，以保持在多个有源图案中的第一个有源图案之间的第一个间隔开的多个有源图案中的第一个之间的顶表面之上，并且可以包括 所述延伸部朝向所述基板延伸到所述多个有源图案中的两个的多个有源图案中的两个间隔开所述多个有源图案中的所述两个之间的第二距离的下表面。

    Semiconductor Devices and Methods for Manufacturing the Same
    3.
    发明申请
    Semiconductor Devices and Methods for Manufacturing the Same 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20160293608A1

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：US15086660

    申请日：2016-03-31

    申请人： Changseop Yoon

    发明人： Changseop Yoon

    IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L23/535

    摘要： A semiconductor device includes a substrate including first and second active patterns thereon, a first gate electrode intersecting the first and second active patterns, first and second source/drain regions on the first and second active patterns, respectively, at one side of the first gate electrode, and an active contact on the first source/drain region so as to be electrically connected to the first source/drain region. The active contact includes a first sub-contact and a second sub-contact. The second sub-contact includes a vertical extension vertically extending toward the substrate. A bottom surface of the vertical extension is lower than a bottom surface of the first sub-contact.

    摘要翻译： 半导体器件包括其上包括第一和第二有源图案的衬底，与第一和第二有源图案相交的第一栅极电极，分别在第一和第二有源图案的第一侧上的第一和第二有源图案上的第一和第二源极/漏极区域 电极和第一源极/漏极区域上的有源触点，以便电连接到第一源极/漏极区域。 有源触点包括第一子触点和第二子触点。 第二子接触包括垂直延伸朝向基板的垂直延伸。 垂直延伸部的底面低于第一副接触面的底面。

    SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GATE CONTACTS
    4.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING GATE CONTACTS 有权
    包括门控触点的半导体器件

    公开(公告)号：US20160284799A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：US15055666

    申请日：2016-02-29

    申请人： Changseop Yoon ,  Hyokki Kwon ,  Min Choul Kim

    发明人： Changseop Yoon ,  Hyokki Kwon ,  Min Choul Kim

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L27/092

    CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45

    摘要： A semiconductor device includes a substrate. The semiconductor device includes a gate electrode on the substrate. The semiconductor device includes a gate contact on the gate electrode. In some embodiments, a fin-shaped body protrudes from the substrate, and the gate electrode is on the fin-shaped body. Moreover, in some embodiments, the gate contact is partially in the gate electrode.

    摘要翻译： 半导体器件包括衬底。 该半导体器件包括在该衬底上的栅电极。 半导体器件包括在栅电极上的栅极接触。 在一些实施例中，鳍状体从衬底突出，并且栅电极在鳍状体上。 此外，在一些实施例中，栅极接触部分地在栅电极中。