公开(公告)号：US20100301399A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12591466

申请日：2009-11-20

申请人： Chao-Sung Lai ,  Cheng-En Lue ,  Chia-Ming Yang ,  Szu-Chieh Wang

发明人： Chao-Sung Lai ,  Cheng-En Lue ,  Chia-Ming Yang ,  Szu-Chieh Wang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： G01N27/4148

摘要： The invention discloses a sensitive field effect transistor apparatus, which uses the inorganic membrane to sense hydrogen ions. The invention adopts the membrane with high deformation stress. The sensitivity of sensitive membrane on hydrogen ion is adjusted through altering the membrane thickness and changing the substrate type and doped concentration. The differential amplifier is used to read signal to form the inorganic Ion Sensitive Field Effect Transistor/Reference Field Effect Transistor apparatus.

摘要翻译： 本发明公开了一种使用无机膜感测氢离子的敏感场效应晶体管装置。 本发明采用具有高变形应力的膜。 敏感膜对氢离子的敏感性通过改变膜厚度和改变衬底类型和掺杂浓度来调节。 差分放大器用于读取信号以形成无机离子敏感场效应晶体管/参考场效应晶体管装置。

公开(公告)号：US08410530B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12591466

申请日：2009-11-20

申请人： Chao-Sung Lai ,  Cheng-En Lue ,  Chia-Ming Yang ,  Szu-Chieh Wang

发明人： Chao-Sung Lai ,  Cheng-En Lue ,  Chia-Ming Yang ,  Szu-Chieh Wang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： G01N27/4148

摘要： The invention discloses a sensitive field effect transistor apparatus, which uses an inorganic membrane to sense hydrogen ions. The invention adopts the membrane with high deformation stress. The sensitivity of the sensitive membrane to hydrogen ions is adjusted through altering the membrane thickness and changing the substrate type and doped concentration. A differential amplifier is used to read a signal to form the inorganic Ion Sensitive Field Effect Transistor/Reference Field Effect Transistor apparatus.

摘要翻译： 本发明公开了一种使用无机膜感测氢离子的敏感场效应晶体管装置。 本发明采用具有高变形应力的膜。 敏感膜对氢离子的敏感性通过改变膜厚度和改变衬底类型和掺杂浓度来调节。 差分放大器用于读取信号以形成无机离子敏感场效应晶体管/参考场效应晶体管装置。