公开(公告)号：US20060105530A1

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：US10986692

申请日：2004-11-12

申请人： Chao-Sung Lai ,  Woei-Cherng Wu ,  Jer-Chyi Wang ,  Kung-Ming Fan ,  Shian-Jyh Lin

发明人： Chao-Sung Lai ,  Woei-Cherng Wu ,  Jer-Chyi Wang ,  Kung-Ming Fan ,  Shian-Jyh Lin

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/2822 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： A method for fabricating a semiconductor device with high-k materials. A high-k dielectric layer is formed on a substrate, followed by a fluorine-containing treatment of the high-k dielectric layer, forming an interface containing Si—F bonds.

摘要翻译： 一种制造具有高k材料的半导体器件的方法。 在基板上形成高k电介质层，接着对高k电介质层进行含氟处理，形成含有Si-F键的界面。