公开(公告)号：US08258856B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12619280

申请日：2009-11-16

申请人： Cheon-An Lee ,  Seong-Jin Jang ,  Sang-Woong Shin

发明人： Cheon-An Lee ,  Seong-Jin Jang ,  Sang-Woong Shin

IPC分类号： G11C17/18 ,  G11C17/16

CPC分类号： G11C17/18 ,  H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An antifuse circuit includes a protection circuit. The antifuse circuit receives a program voltage using a non-connection (NC) pin or ball of a semiconductor device. The protection circuit prevents an unintended voltage lower than the program voltage from being applied to the antifuse circuit.

摘要翻译： 反熔断电路包括保护电路。 反熔丝电路使用半导体器件的非连接（NC）引脚或球来接收编程电压。 保护电路防止低于编程电压的非预期电压被施加到反熔丝电路。

公开(公告)号：US20100134175A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12619280

申请日：2009-11-16

申请人： Cheon-An Lee ,  Seong-Jin Jang ,  Sang-Woong Shin

发明人： Cheon-An Lee ,  Seong-Jin Jang ,  Sang-Woong Shin

IPC分类号： H01H85/00

CPC分类号： G11C17/18 ,  H01L23/5252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An antifuse circuit includes a protection circuit. The antifuse circuit receives a program voltage using a non-connection (NC) pin or ball of a semiconductor device. The protection circuit prevents an unintended voltage lower than the program voltage from being applied to the antifuse circuit.

摘要翻译： 反熔断电路包括保护电路。 反熔丝电路使用半导体器件的非连接（NC）引脚或球来接收编程电压。 保护电路防止低于编程电压的非预期电压被施加到反熔丝电路。

公开(公告)号：US08729615B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13248333

申请日：2011-09-29

申请人： Chang Hyun Lee ,  Young-Woo Park ,  Kye-Hyun Kyung ,  Cheon-An Lee ,  Sung-il Chang ,  Chul Bum Kim

发明人： Chang Hyun Lee ,  Young-Woo Park ,  Kye-Hyun Kyung ,  Cheon-An Lee ,  Sung-il Chang ,  Chul Bum Kim

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L21/823857 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/30 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11556

摘要： A semiconductor memory device has a memory cell region and a peripheral region. The device includes low voltage transistors at the peripheral region having gate insulation films with different thicknesses. For example, a gate insulation film of a low voltage transistor used in an input/output circuit of the memory device may be thinner than the gate insulation film of a low voltage transistor used in a core circuit for the memory device. Since low voltage transistors used at an input/output circuit are formed to be different from low voltage transistors used at a core circuit or a high voltage pump circuit, high speed operation and low power consumption characteristics of a non-volatile memory device may be.

摘要翻译： 半导体存储器件具有存储单元区域和周边区域。 该器件包括具有不同厚度的栅极绝缘膜的外围区域的低电压晶体管。 例如，在存储器件的输入/输出电路中使用的低电压晶体管的栅极绝缘膜可以比用于存储器件的核心电路中的低电压晶体管的栅极绝缘膜更薄。 由于在输入/输出电路中使用的低压晶体管形成为与核心电路或高压泵浦电路所使用的低压晶体管不同，所以可以是非易失性存储器件的高速工作和低功耗特性。

公开(公告)号：US20120146118A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13248333

申请日：2011-09-29

申请人： Chang-Hyun Lee ,  Young-Woo Park ,  Kye-Hyun Kyung ,  Cheon-An Lee ,  Sung-il Chang ,  Chul Bum Kim

发明人： Chang-Hyun Lee ,  Young-Woo Park ,  Kye-Hyun Kyung ,  Cheon-An Lee ,  Sung-il Chang ,  Chul Bum Kim

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823857 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/30 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11556

摘要： A semiconductor memory device has a memory cell region and a peripheral region. The device includes low voltage transistors at the peripheral region having gate insulation films with different thicknesses. For example, a gate insulation film of a low voltage transistor used in an input/output circuit of the memory device may be thinner than the gate insulation film of a low voltage transistor used in a core circuit for the memory device. Since low voltage transistors used at an input/output circuit are formed to be different from low voltage transistors used at a core circuit or a high voltage pump circuit, high speed operation and low power consumption characteristics of a non-volatile memory device may be.

摘要翻译： 半导体存储器件具有存储单元区域和周边区域。 该器件包括具有不同厚度的栅极绝缘膜的外围区域的低电压晶体管。 例如，在存储器件的输入/输出电路中使用的低电压晶体管的栅极绝缘膜可以比用于存储器件的核心电路中的低电压晶体管的栅极绝缘膜更薄。 由于在输入/输出电路中使用的低压晶体管形成为与核心电路或高压泵浦电路所使用的低压晶体管不同，所以可以是非易失性存储器件的高速工作和低功耗特性。