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    Forming a type I heterostructure in a group IV semiconductor
    1.
    发明授权
    Forming a type I heterostructure in a group IV semiconductor 有权
    在IV族半导体中形成I型异质结构

    公开(公告)号：US07435987B1

    公开(公告)日：2008-10-14

    申请号：US11728890

    申请日：2007-03-27

    申请人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    发明人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    IPC分类号： H01L31/0328

    CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7782

    摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for forming a transistor that includes forming a first buffer layer of silicon germanium tin (SiGe(Sn)) on a silicon (Si) substrate, forming a barrier layer on the first buffer layer, the barrier layer comprising silicon germanium (Si1−xGex), and forming a quantum well (QW) layer on the barrier layer including a lower QW barrier layer formed of silicon germanium carbon (Si1−yGey(C)), a strained QW channel layer formed of germanium on the lower QW layer, and an upper QW barrier layer on the strained QW channel layer formed of Si1−zGez(C). Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种用于形成晶体管的方法，该晶体管包括在硅（Si）衬底上形成硅锗锡（SiGe（Sn））的第一缓冲层，在第一缓冲层上形成阻挡层， 阻挡层，其包含硅锗（Si 1-x N x Ge x Si x Ga y），并且在阻挡层上形成量子阱（QW）层，其包括由硅形成的下部QW势垒层 锗碳（Si 1-y）Ge（C）），由QW层上的锗形成的应变QW沟道层和上QW沟道层 应变QW沟道层由Si 1-z≡Z（C）形成。 描述和要求保护其他实施例。

    FORMING A TYPE I HETEROSTRUCTURE IN A GROUP IV SEMICONDUCTOR
    2.
    发明申请
    FORMING A TYPE I HETEROSTRUCTURE IN A GROUP IV SEMICONDUCTOR 有权
    在IV族半导体中形成I型异构体

    公开(公告)号：US20080237572A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US11728890

    申请日：2007-03-27

    申请人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    发明人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7782

    摘要： In one embodiment, the present invention includes a method for forming a transistor that includes forming a first buffer layer of silicon germanium tin (SiGe(Sn)) on a silicon (Si) substrate, forming a barrier layer on the first buffer layer, the barrier layer comprising silicon germanium (Si1-xGex), and forming a quantum well (QW) layer on the barrier layer including a lower QW barrier layer formed of silicon germanium carbon (Si1-yGey(C)), a strained QW channel layer formed of germanium on the lower QW layer, and an upper QW barrier layer on the strained QW channel layer formed of Si1-zGez(C). Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 在一个实施例中，本发明包括一种用于形成晶体管的方法，该晶体管包括在硅（Si）衬底上形成硅锗锡（SiGe（Sn））的第一缓冲层，在第一缓冲层上形成阻挡层， 阻挡层，其包含硅锗（Si 1-x N x Ge x Si x Ga y），并且在阻挡层上形成量子阱（QW）层，其包括由硅形成的下部QW势垒层 锗碳（Si 1-y）Ge（C）），由QW层上的锗形成的应变QW沟道层和上QW沟道层 应变QW沟道层由Si 1-z≡Z（C）形成。 描述和要求保护其他实施例。

    Strain-inducing semiconductor regions
    4.
    发明授权
    Strain-inducing semiconductor regions 有权
    应变诱导半导体区域

    公开(公告)号：US07629603B2

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：US11450744

    申请日：2006-06-09

    申请人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    发明人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

    摘要： A method to form a strain-inducing semiconductor region comprising three or more species of charge-neutral lattice-forming atoms is described. In one embodiment, formation of a strain-inducing semiconductor region, comprising three or more species of charge-neutral lattice-forming atoms, laterally adjacent to a crystalline substrate results in a uniaxial strain imparted to the crystalline substrate. Thus, a strained crystalline substrate may be provided. In another embodiment, a semiconductor region with a crystalline lattice of three or more species of charge-neutral lattice-forming atoms imparts a strain to a crystalline substrate, wherein the lattice constant of the semiconductor region is different from that of the crystalline substrate.

    摘要翻译： 描述了形成包含三种或更多种电荷 - 中性晶格形成原子的应变诱导半导体区域的方法。 在一个实施方案中，形成包含三个或更多种电荷 - 中性晶格形成原子的应变诱导半导体区域，横向邻近晶体衬底导致赋予晶体衬底的单轴应变。 因此，可以提供应变晶体衬底。 在另一个实施方案中，具有三种或更多种电荷 - 中性晶格形成原子的晶格的半导体区域向晶体衬底施加应变，其中半导体区域的晶格常数不同于晶体衬底的晶格常数。

    Strain-inducing semiconductor regions
    10.
    发明申请
    Strain-inducing semiconductor regions 有权
    应变诱导半导体区域

    公开(公告)号：US20070284613A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：US11450744

    申请日：2006-06-09

    申请人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    发明人： Chi On Chui ,  Prashant Majhi ,  Wilman Tsai ,  Jack T. Kavalieros

    IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

    摘要： A method to form a strain-inducing semiconductor region comprising three or more species of charge-neutral lattice-forming atoms is described. In one embodiment, formation of a strain-inducing semiconductor region, comprising three or more species of charge-neutral lattice-forming atoms, laterally adjacent to a crystalline substrate results in a uniaxial strain imparted to the crystalline substrate. Thus, a strained crystalline substrate may be provided. In another embodiment, a semiconductor region with a crystalline lattice of three or more species of charge-neutral lattice-forming atoms imparts a strain to a crystalline substrate, wherein the lattice constant of the semiconductor region is different from that of the crystalline substrate.

    摘要翻译： 描述了形成包含三种或更多种电荷 - 中性晶格形成原子的应变诱导半导体区域的方法。 在一个实施方案中，形成包含三个或更多种电荷 - 中性晶格形成原子的应变诱导半导体区域，横向邻近晶体衬底导致赋予晶体衬底的单轴应变。 因此，可以提供应变晶体衬底。 在另一个实施方案中，具有三种或更多种电荷 - 中性晶格形成原子的晶格的半导体区域向晶体衬底施加应变，其中半导体区域的晶格常数不同于晶体衬底的晶格常数。