公开(公告)号：US20100140629A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12426471

申请日：2009-04-20

申请人： Chi-Shen LEE ,  Su-Hui LIN

发明人： Chi-Shen LEE ,  Su-Hui LIN

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

摘要： The invention discloses a method for fabricating a light-emitting diode. In an embodiment of the invention, the method comprises the following steps of (a) preparing a substrate; (b) forming an epitaxial layer on the substrate, wherein the epitaxial layer has an upper surface; (c) forming a mask layer on a first region of the upper surface of the epitaxial layer; (d) forming a semiconductor multi-layer structure on a second region of the upper surface of the epitaxial layer, wherein the second region is distinct from the first region; (e) removing the mask layer formed on the first region of the upper surface of the epitaxial layer; and (f) forming an electrode on the first region of the upper surface of the epitaxial layer.

摘要翻译： 本发明公开了一种制造发光二极管的方法。 在本发明的一个实施方案中，该方法包括以下步骤：（a）制备底物; （b）在所述衬底上形成外延层，其中所述外延层具有上表面; （c）在所述外延层的上表面的第一区域上形成掩模层; （d）在所述外延层的上表面的第二区域上形成半导体多层结构，其中所述第二区域与所述第一区域不同; （e）去除形成在外延层的上表面的第一区域上的掩模层; 和（f）在外延层的上表面的第一区域上形成电极。