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    Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics
    3.
    发明授权
    Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics 失效
    使用氨蚀刻有机低k电介质

    公开(公告)号：US06893969B2

    公开(公告)日：2005-05-17

    申请号：US09782446

    申请日：2001-02-12

    申请人： Chok W. Ho ,  Kuo-Lung Tang ,  Chung-Ju Lee

    发明人： Chok W. Ho ,  Kuo-Lung Tang ,  Chung-Ju Lee

    IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01K21/302

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31144

    摘要： Method for etching organic low-k dielectric using ammonia, NH3, as an active etchant. Processes using ammonia results in at least double the etch rate of organic low-k dielectric materials than processes using N2/H2 chemistries, at similar process conditions. The difference is due to the much lower ionization potential of NH3 versus N2 in the process chemistry, which results in significantly higher plasma densities and etchant concentrations at similar process conditions.

    摘要翻译： 使用氨，NH 3作为活性蚀刻剂蚀刻有机低k电介质的方法。 使用氨的工艺导致有机低k电介质材料的蚀刻速率至少比使用N 2 / H 2化学物质在相似工艺条件下的蚀刻速率的两倍。 不同之处在于，在工艺化学中，NH 3与N 2的电离电位低得多，这在相似的工艺条件下导致显着更高的等离子体密度和蚀刻剂浓度。

    Method providing an improved bi-layer photoresist pattern
    4.
    发明申请
    Method providing an improved bi-layer photoresist pattern 审中-公开
    提供改进的双层光致抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号：US20060166145A1

    公开(公告)日：2006-07-27

    申请号：US11388859

    申请日：2006-03-24

    申请人： Hanzhong Xiao ,  Helen Zhu ,  Kuo-Lung Tang ,  S.M. Sadjadi

    发明人： Hanzhong Xiao ,  Helen Zhu ,  Kuo-Lung Tang ,  S.M. Sadjadi

    IPC分类号： G03F7/00

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for etching a feature in a layer is provided. An underlayer of a polymer material is formed over the layer. A top image layer is formed over the underlayer. The top image layer is exposed to patterned radiation. A pattern is developed in the top image layer. The pattern is transferred from the top image layer to the underlayer with a reducing dry etch. The layer is etched through the underlayer, where the top image layer is completely removed and the underlayer is used as a pattern mask during the etching the layer to transfer the pattern from the underlayer to the layer.

    摘要翻译： 提供了蚀刻层中的特征的方法。 在该层上形成聚合物材料的底层。 在底层上形成顶层图像层。 顶部图像层暴露于图案化辐射。 在顶部图像层中开发出图案。 图案通过减少的干蚀刻从顶部图像层转移到底层。 该层被蚀刻通过底层，其中顶部图像层被完全去除，并且在蚀刻该层期间将底层用作图案掩模以将图案从底层转移到该层。