公开(公告)号：US20100084718A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12354558

申请日：2009-01-15

申请人： Chung-Shi LIU ,  Hsiang-Yi WANG ,  Cheng-Tung LIN ,  Chen-Hua YU

发明人： Chung-Shi LIU ,  Hsiang-Yi WANG ,  Cheng-Tung LIN ,  Chen-Hua YU

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/265 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device that includes forming a high-k dielectric over a substrate, forming a first metal layer over the high-k dielectric, forming a second metal layer over the first metal layer, forming a first silicon layer over the second metal layer, implanting a plurality of ions into the first silicon layer and the second metal layer overlying a first region of the substrate, forming a second silicon layer over the first silicon layer, patterning a first gate structure over the first region and a second gate structure over a second region, performing an annealing process that causes the second metal layer to react with the first silicon layer to form a silicide layer in the first and second gate structures, respectively, and driving the ions toward an interface of the first metal layer and the high-k dielectric in the first gate structure.

摘要翻译： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，其包括在衬底上形成高k电介质，在高k电介质上形成第一金属层，在第一金属层上形成第二金属层，形成第一硅 在所述第二金属层上方，将多个离子注入到所述第一硅层中，并且所述第二金属层覆盖在所述基板的第一区域上，在所述第一硅层上形成第二硅层，在所述第一区上形成第一栅极结构 以及在第二区域上的第二栅极结构，执行使所述第二金属层与所述第一硅层反应以在所述第一和第二栅极结构中分别形成硅化物层的退火处理，并将所述离子驱动到 第一栅极结构中的第一金属层和高k电介质。

公开(公告)号：US20110062526A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12761918

申请日：2010-04-16

申请人： Jeff J. XU ,  Cheng-Tung LIN ,  Hsiang-Yi WANG ,  Wen-Chin LEE ,  Betty HSIEH

发明人： Jeff J. XU ,  Cheng-Tung LIN ,  Hsiang-Yi WANG ,  Wen-Chin LEE ,  Betty HSIEH

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842

摘要： A gate-last method for forming a metal gate transistor is provided. The method includes forming an opening within a dielectric material over a substrate. A gate dielectric structure is formed within the opening and over the substrate. A work function metallic layer is formed within the opening and over the gate dielectric structure. A silicide structure is formed over the work function metallic layer.

摘要翻译： 提供了用于形成金属栅极晶体管的最后一种方法。 该方法包括在基底上形成电介质材料内的开口。 栅极电介质结构形成在开口内和衬底上。 工作功能金属层形成在开口内和栅介质结构之上。 在功函数金属层上形成硅化物结构。