公开(公告)号：US09041158B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13403630

申请日：2012-02-23

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7856

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having controlled fin heights. The apparatus includes a high fin density area and a low fin density area. Each fin density area includes fins and dielectric material between the fins. The dielectric material includes different dopant concentrations for different fin density areas and is the same material as deposited.

摘要翻译： 半导体装置包括具有受控制的翅片高度的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 该装置包括高翅片密度区域和低翅片密度区域。 每个翅片密度区域包括翅片和翅片之间的电介质材料。 电介质材料包括用于不同翅片密度区域的不同掺杂剂浓度，并且是与沉积物相同的材料。

公开(公告)号：US20130221491A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13403630

申请日：2012-02-23

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7856

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having controlled fin heights. The apparatus includes a high fin density area and a low fin density area. Each fin density area includes fins and dielectric material between the fins. The dielectric material includes different dopant concentrations for different fin density areas and is the same material as deposited.

摘要翻译： 半导体装置包括具有受控制的翅片高度的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 该装置包括高翅片密度区域和低翅片密度区域。 每个翅片密度区域包括翅片和翅片之间的电介质材料。 电介质材料包括用于不同翅片密度区域的不同掺杂剂浓度，并且是与沉积物相同的材料。