公开(公告)号：US20130221491A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13403630

申请日：2012-02-23

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7856

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having controlled fin heights. The apparatus includes a high fin density area and a low fin density area. Each fin density area includes fins and dielectric material between the fins. The dielectric material includes different dopant concentrations for different fin density areas and is the same material as deposited.

摘要翻译： 半导体装置包括具有受控制的翅片高度的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 该装置包括高翅片密度区域和低翅片密度区域。 每个翅片密度区域包括翅片和翅片之间的电介质材料。 电介质材料包括用于不同翅片密度区域的不同掺杂剂浓度，并且是与沉积物相同的材料。

公开(公告)号：US09041158B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13403630

申请日：2012-02-23

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7856

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having controlled fin heights. The apparatus includes a high fin density area and a low fin density area. Each fin density area includes fins and dielectric material between the fins. The dielectric material includes different dopant concentrations for different fin density areas and is the same material as deposited.

摘要翻译： 半导体装置包括具有受控制的翅片高度的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 该装置包括高翅片密度区域和低翅片密度区域。 每个翅片密度区域包括翅片和翅片之间的电介质材料。 电介质材料包括用于不同翅片密度区域的不同掺杂剂浓度，并且是与沉积物相同的材料。

公开(公告)号：US09054188B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US13404819

申请日：2012-02-24

申请人： I-Ming Chang ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang ,  Clement Hsingjen Wann ,  Tung Ying Lee ,  Cheng-Long Chen ,  Jui-Chien Huang

发明人： I-Ming Chang ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang ,  Clement Hsingjen Wann ,  Tung Ying Lee ,  Cheng-Long Chen ,  Jui-Chien Huang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/31 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/6838 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： An apparatus for and a method of forming a semiconductor structure is provided. The apparatus includes a substrate holder that maintains a substrate such that the processing surface is curved, such as a convex or a concave shape. The substrate is held in place using point contacts, a plurality of continuous contacts extending partially around the substrate, and/or a continuous ring extending completely around the substrate. The processing may include, for example, forming source/drain regions, channel regions, silicides, stress memorization layers, or the like.

摘要翻译： 提供了一种形成半导体结构的装置和方法。 该装置包括：基板保持件，其保持基板，使得处理表面是弯曲的，例如凸形或凹形。 基板使用点接触保持就位，多个连续接触部分围绕基板延伸，和/或完全围绕基板延伸的连续环。 处理可以包括例如形成源极/漏极区域，沟道区域，硅化物，应力存储层等。

公开(公告)号：US20130224952A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13404819

申请日：2012-02-24

申请人： I-Ming Chang ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang ,  Clement Hsingjen Wann ,  Tung Ying Lee ,  Cheng-Long Chen ,  Jui-Chien Huang

发明人： I-Ming Chang ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang ,  Clement Hsingjen Wann ,  Tung Ying Lee ,  Cheng-Long Chen ,  Jui-Chien Huang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/6838 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： An apparatus for and a method of forming a semiconductor structure is provided. The apparatus includes a substrate holder that maintains a substrate such that the processing surface is curved, such as a convex or a concave shape. The substrate is held in place using point contacts, a plurality of continuous contacts extending partially around the substrate, and/or a continuous ring extending completely around the substrate. The processing may include, for example, forming source/drain regions, channel regions, silicides, stress memorization layers, or the like.

摘要翻译： 提供了一种形成半导体结构的装置和方法。 该装置包括：基板保持件，其保持基板，使得处理表面是弯曲的，例如凸形或凹形。 基板使用点接触保持就位，多个连续接触部分围绕基板延伸，和/或完全围绕基板延伸的连续环。 处理可以包括例如形成源极/漏极区域，沟道区域，硅化物，应力存储层等。

公开(公告)号：US20130175578A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13345473

申请日：2012-01-06

申请人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

发明人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method includes forming an ESD diode including performing an epitaxy growth to form an epitaxy region comprising silicon and substantially free from germanium. The epitaxy region is doped with a p-type impurity to form a p-type region, wherein the p-type region forms an anode of the ESD diode.

公开(公告)号：US09105744B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13410207

申请日：2012-03-01

申请人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

发明人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/6681

摘要： Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device includes an active FinFET disposed over a workpiece comprising a first semiconductive material, the active FinFET comprising a first fin. An electrically inactive FinFET structure is disposed over the workpiece proximate the active FinFET, the electrically inactive FinFET comprising a second fin. A second semiconductive material is disposed between the first fin and the second fin.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造和设计方法。 在一个实施例中，半导体器件包括设置在包括第一半导体材料的工件上的有源FinFET，所述有源FinFET包括第一鳍片。 非活性FinFET结构设置在靠近有源FinFET的工件上方，该非活性FinFET包括第二鳍片。 第二半导体材料设置在第一鳍片和第二鳍片之间。

公开(公告)号：US08551841B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US13345473

申请日：2012-01-06

申请人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

发明人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huei Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method includes forming an ESD diode including performing an epitaxy growth to form an epitaxy region comprising silicon and substantially free from germanium. The epitaxy region is doped with a p-type impurity to form a p-type region, wherein the p-type region forms an anode of the ESD diode.

摘要翻译： 一种方法包括形成ESD二极管，包括进行外延生长以形成包含硅且基本上不含锗的外延区。 外延区域掺杂有p型杂质以形成p型区域，其中p型区域形成ESD二极管的阳极。

公开(公告)号：US08426923B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12797382

申请日：2010-06-09

申请人： Tung Ying Lee ,  Li-Wen Weng ,  Chien-Tai Chan ,  Da-Wen Lin ,  Hsien-Chin Lin

发明人： Tung Ying Lee ,  Li-Wen Weng ,  Chien-Tai Chan ,  Da-Wen Lin ,  Hsien-Chin Lin

IPC分类号： H01L29/423

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/785

摘要： A system and method for manufacturing multiple-gate semiconductor devices is disclosed. An embodiment comprises multiple fins, wherein intra-fin isolation regions extend into the substrate less than inter-fin isolation regions. Regions of the multiple fins not covered by the gate stack are removed and source/drain regions are formed from the substrate so as to avoid the formation of voids between the fins in the source/drain region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造多栅极半导体器件的系统和方法。 一个实施例包括多个散热片，其中散热片内隔离区域延伸到小于鳍间隔离区域的衬底内。 去除未被栅极堆叠覆盖的多个鳍片的区域，并且从衬底形成源极/漏极区域，以避免在源极/漏极区域中的鳍片之间形成空隙。

公开(公告)号：US20110127610A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12797382

申请日：2010-06-09

申请人： Tung Ying Lee ,  Li-Wen Weng ,  Chien-Tai Chan ,  Da-Wen Lin ,  Hsien-Chin Lin

发明人： Tung Ying Lee ,  Li-Wen Weng ,  Chien-Tai Chan ,  Da-Wen Lin ,  Hsien-Chin Lin

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/785

摘要： A system and method for manufacturing multiple-gate semiconductor devices is disclosed. An embodiment comprises multiple fins, wherein intra-fin isolation regions extend into the substrate less than inter-fin isolation regions. Regions of the multiple fins not covered by the gate stack are removed and source/drain regions are formed from the substrate so as to avoid the formation of voids between the fins in the source/drain region.

摘要翻译： 公开了一种用于制造多栅极半导体器件的系统和方法。 一个实施例包括多个散热片，其中散热片内隔离区域延伸到小于鳍间隔离区域的衬底内。 去除未被栅极堆叠覆盖的多个鳍片的区域，并且从衬底形成源极/漏极区域，以避免在源极/漏极区域中的鳍片之间形成空隙。

公开(公告)号：US20130228866A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13410207

申请日：2012-03-01

申请人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huie Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

发明人： Tung Ying Lee ,  Wen-Huie Guo ,  Chih-Hao Chang ,  Shou-Zen Chang

IPC分类号： H01L27/088 ,  G06F17/50 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/6681

摘要： Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device includes an active FinFET disposed over a workpiece comprising a first semiconductive material, the active FinFET comprising a first fin. An electrically inactive FinFET structure is disposed over the workpiece proximate the active FinFET, the electrically inactive FinFET comprising a second fin. A second semiconductive material is disposed between the first fin and the second fin.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造和设计方法。 在一个实施例中，半导体器件包括设置在包括第一半导体材料的工件上的有源FinFET，所述有源FinFET包括第一鳍片。 非活性FinFET结构设置在靠近有源FinFET的工件上方，该非活性FinFET包括第二鳍片。 第二半导体材料设置在第一鳍片和第二鳍片之间。