公开(公告)号：US07462884B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11589113

申请日：2006-10-30

申请人： Daisuke Sanga ,  Hisashi Kasai ,  Kazuhiro Miyagi

发明人： Daisuke Sanga ,  Hisashi Kasai ,  Kazuhiro Miyagi

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341

摘要： A nitride semiconductor device having excellent ESD tolerance, by preventing uneven distribution of the electric current in the p-side nitride semiconductor layer. The p-side nitride semiconductor layer (40) comprises, from the active layer (30) side, (a) a p-side wide band gap layer (12) containing a p-type impurity and (b) a three-layer structure (15) comprising a first p-side nitride semiconductor layer (16), a second p-side nitride semiconductor layer (17), and a third p-side nitride semiconductor layer (18).

摘要翻译： 通过防止p侧氮化物半导体层中的电流的不均匀分布，具有优异的耐ESD性的氮化物半导体器件。 p侧氮化物半导体层（40）从有源层（30）侧包括（a）包含p型杂质的p侧宽带隙层（12）和（b）三层结构 （15），包括第一p侧氮化物半导体层（16），第二p侧氮化物半导体层（17）和第三p侧氮化物半导体层（18）。

公开(公告)号：US20070096077A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11589113

申请日：2006-10-30

申请人： Daisuke Sanga ,  Hisashi Kasai ,  Kazuhiro Miyagi

发明人： Daisuke Sanga ,  Hisashi Kasai ,  Kazuhiro Miyagi

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341

摘要： A nitride semiconductor device having excellent ESD tolerance, by preventing uneven distribution of the electric current in the p-side nitride semiconductor layer. The p-side nitride semiconductor layer (40) comprises, from the active layer (30) side, (a) a p-side wide band gap layer (12) containing a p-type impurity and (b) a three-layer structure (15) comprising a first p-side nitride semiconductor layer (16), a second p-side nitride semiconductor layer (17), and a third p-side nitride semiconductor layer (18).

摘要翻译： 通过防止p侧氮化物半导体层中的电流的不均匀分布，具有优异的耐ESD性的氮化物半导体器件。 p侧氮化物半导体层（40）从有源层（30）侧包括（a）包含p型杂质的p侧宽带隙层（12）和（b）三层结构 （15），包括第一p侧氮化物半导体层（16），第二p侧氮化物半导体层（17）和第三p侧氮化物半导体层（18）。