公开(公告)号：US06358430B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09362251

申请日：1999-07-28

申请人： Daniel Scott Marshall ,  Lucia R. Salem ,  Harland G. Tompkins

发明人： Daniel Scott Marshall ,  Lucia R. Salem ,  Harland G. Tompkins

IPC分类号： B44C122

CPC分类号： H01L21/31111 ,  Y10S438/958

摘要： A method of etching a layer of electrical insulating material including a layer of strontium titanate on a surface of a semiconductor substrate. The layer of strontium titanate is immersed in a passivated etching solution including an acid and HF and focused light is directed onto the surface of the layer of strontium titanate at areas to be etched, so as to depassivate the passivated surface and to etch the layer of strontium titanate only at the surface receiving collimated light. In a preferred embodiment, the passivated etching solution includes HCl and less than 1000 ppm of HF.

摘要翻译： 一种在半导体衬底的表面上蚀刻包括钛酸锶层的电绝缘材料层的方法。 将钛酸锶层浸入包含酸和HF的钝化蚀刻溶液中，并将聚焦的光引导到钛酸锶层的待蚀刻区域的表面上，以钝化钝化表面并蚀刻 仅在表面接收准直光的钛酸锶。 在优选实施例中，钝化蚀刻溶液包括HCl和小于1000ppm的HF。

公开(公告)号：US06083806A

公开(公告)日：2000-07-04

申请号：US110352

申请日：1998-07-06

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

IPC分类号： G03F9/00 ,  H01L23/544 ,  H01L21/76

CPC分类号： G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002

摘要： An alignment mark (51) is formed on the surface (64) of a silicon carbide substrate (50). The alignment mark (51) is used to reflect a light signal (72) to determine the proper position for the silicon carbide substrate (50). The materials that are used to form the alignment mark (51) can be used to form an alignment mark on any transparent or semi-transparent substrate and will maintain physical integrity through very high temperature processing steps.

摘要翻译： 在碳化硅衬底（50）的表面（64）上形成对准标记（51）。 对准标记（51）用于反射光信号（72）以确定碳化硅衬底（50）的适当位置。 用于形成对准标记（51）的材料可以用于在任何透明或半透明基材上形成对准标记，并且将通过非常高的温度处理步骤来保持物理完整性。

公开(公告)号：US06630746B1

公开(公告)日：2003-10-07

申请号：US09566961

申请日：2000-05-09

申请人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

发明人： David P. Mancini ,  Douglas J. Resnick ,  Harland G. Tompkins ,  Karen E. Moore

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： G03F9/7076 ,  G03F9/7069 ,  H01L2223/54426

摘要： An alignment mark (51) is formed on the surface (64) of a silicon carbide substrate (50). The alignment mark (51) is used to reflect a light signal (72) to determine the proper position for the silicon carbide substrate (50). The materials that are used to form the alignment mark (51) can be used to form an alignment mark on any transparent or semi-transparent substrate and will maintain physical integrity through very high temperature processing steps.

摘要翻译： 在碳化硅衬底（50）的表面（64）上形成对准标记（51）。 对准标记（51）用于反射光信号（72）以确定碳化硅衬底（50）的适当位置。 用于形成对准标记（51）的材料可以用于在任何透明或半透明基材上形成对准标记，并且将通过非常高的温度处理步骤来保持物理完整性。