公开(公告)号：US20050227466A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10479300

申请日：2002-05-24

申请人： Dietmar Kruger ,  Andriy Goryachko ,  Rainer Kurps ,  Jing Liu ,  Hans-Jorg Osten

发明人： Dietmar Kruger ,  Andriy Goryachko ,  Rainer Kurps ,  Jing Liu ,  Hans-Jorg Osten

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/456 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575

摘要： The invention relates to a method for the selective silicidation of contact areas that allow the production of highly integrated circuits, preferably in a SMOS or BiCMOS process. To this end, a metal oxide layer (14) that contains for example praseodymium oxide is deposited onto a prepared wafer (12). A silicon layer (16) and on top of said silicon layer a cover layer (18) is deposited onto the metal oxide layer (14), said cover layer being laterally structured. In a subsequent tempering step in an oxygen-free, reducing gas atmosphere the silicon layer (16) and the metal oxide layer (14) are converted to a metal silicide layer in lateral sections (20, 22) in which the cover layer (18) was previously removed.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于选择性硅化接触区域的方法，其允许生产高度集成的电路，优选在SMOS或BiCMOS工艺中。 为此，将包含例如氧化镨的金属氧化物层（14）沉积到制备的晶片（12）上。 硅层（16）并且在所述硅层的顶部上覆盖覆盖层（18）沉积到金属氧化物层（14）上，所述覆盖层是横向构造的。 在无氧，还原性气体气氛中的随​​后的回火步骤中，将硅层（16）和金属氧化物层（14）在侧面部分（20,22）中转化为金属硅化物层，其中覆盖层（18） ）以前被删除。