公开(公告)号：US20070086235A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11529323

申请日：2006-09-29

申请人： Du-eung Kim ,  Chang--soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Byung-gil Choi

发明人： Du-eung Kim ,  Chang--soo Lee ,  Woo-yeong Cho ,  Byung-gil Choi

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  Y10S977/754

摘要： A phase-change memory device includes a semiconductor substrate, a bit line and a word line arranged on the semiconductor substrate to intersect each other, and a phase-change material strip interposed between the bit line and the word line and extending lengthwise in a direction that is substantially parallel to at least a portion of the word line.

摘要翻译： 相变存储器件包括半导体衬底，布置在半导体衬底上的位线和字线彼此相交的相变存储器件，以及插入位线和字线之间的相变材料带，并且沿相对方向 其基本上平行于字线的至少一部分。