公开(公告)号：US06632743B1

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：US09632826

申请日：2000-08-07

申请人： Eric K. Grieger ,  Tim J. Kennedy ,  Robert H. Whitney ,  Gunnar A. Barnhart

发明人： Eric K. Grieger ,  Tim J. Kennedy ,  Robert H. Whitney ,  Gunnar A. Barnhart

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/005

摘要： Washing a microelectronic substrate with an ozonated solution following planarization and proceeding removal of a native oxide layer through acid etching.

摘要翻译： 在平坦化后用臭氧化溶液洗涤微电子基板，并通过酸蚀刻去除自然氧化物层。

公开(公告)号：US6100198A

公开(公告)日：2000-08-08

申请号：US32229

申请日：1998-02-27

申请人： Eric K. Grieger ,  Tim J. Kennedy ,  Robert H. Whitney ,  Gunnar A. Barnhart

发明人： Eric K. Grieger ,  Tim J. Kennedy ,  Robert H. Whitney ,  Gunnar A. Barnhart

IPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00 ,  B08B3/04

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/005

摘要： Washing a microelectronic substrate with an ozonated solution following planarization and proceeding removal of a native oxide layer through acid etching.

摘要翻译： 在平坦化之后用臭氧化溶液洗涤微电子衬底，并通过酸蚀刻去除自然氧化物层。

公开(公告)号：USD462586S1

公开(公告)日：2002-09-10

申请号：US29133363

申请日：2000-11-28

申请人： Ian L. Halpern ,  Richard C. Shonfeld ,  Tim J. Kennedy

设计人： Ian L. Halpern ,  Richard C. Shonfeld ,  Tim J. Kennedy