公开(公告)号：US09117539B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US14303061

申请日：2014-06-12

申请人： FIDELIX CO., LTD. ,  Nemostech Co., Ltd.

发明人： Jong Cheol Lee

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G06F13/28

CPC分类号： G11C11/34 ,  G06F13/28 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/3454

摘要： A flash memory device reduces noise peak and program time through serial programming of program blocks of memory cells. The time interval or the number of the program groups is decreased according to the proceeding program loop in the plurality of program loops, reducing the total program time.

摘要翻译： 闪存器件通过对存储器单元的程序块的串行编程来降低噪声峰值和编程时间。 根据多个程序循环中的进行程序循环，程序组的时间间隔或编号减少，减少了总程序时间。