公开(公告)号：US20110079755A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12894755

申请日：2010-09-30

申请人： Felix GREUTER ,  Michael HAGEMEISTER ,  Oliver BECK ,  Ragnar OSTERLUND ,  Reto KESSLER

发明人： Felix GREUTER ,  Michael HAGEMEISTER ,  Oliver BECK ,  Ragnar OSTERLUND ,  Reto KESSLER

IPC分类号： H01B1/08

CPC分类号： H01C7/112 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/85 ,  H01B1/08

摘要： The present invention relates to a varistor material for a surge arrester with target switching field strength ranging from 250 to 400 V/mm comprising ZnO forming a ZnO phase and Bi expressed as Bi2O3 forming an intergranular bismuth oxide phase, said varistor material further comprising a spinel phase, characterized in that the amount of a pyrochlore phase comprised in the varistor material is such, that the ratio of the pyrochlore phase to the spinel phase is less than 0.15:1.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于避雷器的变阻器材料，其目标开关电场强度为250-400V / mm，包括ZnO形成ZnO相，Bi表示为形成晶间氧化铋相的Bi，所述变阻器材料还包括尖晶石 其特征在于，包含在压敏电阻材料中的烧绿石相的量是这样的，即烧绿石相与尖晶石相的比例小于0.15:1。

公开(公告)号：US20120293964A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13526078

申请日：2012-06-18

申请人： Felix GREUTER ,  Jürgen SCHUDERER ,  Lise DONZEL

发明人： Felix GREUTER ,  Jürgen SCHUDERER ,  Lise DONZEL

IPC分类号： H05K7/06 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/62 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： Exemplary embodiments are directed to a power electronic device with an electronic device including a substrate, a metal layer formed on the substrate and a field grading means located along an edge of the metal layer. The field grading means has a non-linear electrical resistivity.

摘要翻译： 示例性实施例涉及具有电子设备的电力电子设备，电子设备包括基板，形成在基板上的金属层和沿着金属层的边缘设置的场均衡装置。 场分级装置具有非线性电阻率。