公开(公告)号：US20070176246A1

公开(公告)日：2007-08-02

申请号：US11484295

申请日：2006-07-11

申请人： Frank Wirbeleit ,  Martin Majer

发明人： Frank Wirbeleit ,  Martin Majer

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  H01L29/105

摘要： By providing a self-biasing semiconductor switch, an SRAM cell having a reduced number of individual active components may be realized. In particular embodiments, the self-biasing semiconductor device may be provided in the form of a double channel field effect transistor that allows the formation of an SRAM cell with less than six transistor elements and in preferred embodiments with as few as two individual transistor elements.

摘要翻译： 通过提供自偏压半导体开关，可以实现具有减少数量的各个有源元件的SRAM单元。 在特定实施例中，自偏置半导体器件可以以双通道场效应晶体管的形式提供，其允许形成具有小于六个晶体管元件的SRAM单元，并且在优选实施例中可以使用少至两个单独的晶体管元件。